存储装置及其刷新控制方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410807805.0
申请日
2024-06-21
公开(公告)号
CN119229918A
公开(公告)日
2024-12-31
发明(设计)人
金东河 金度翰 金普培 李昌珉 赵庆珍
申请人
三星电子株式会社
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
G11C11/406
IPC分类号
G11C11/4063
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
梁栋国
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储装置及其刷新控制方法 [P]. 
利穗吉郎 ;
伊藤丰 .
中国专利 :CN100470667C ,2005-08-17
[2]
用于执行刷新操作的存储装置及其操作方法 [P]. 
李知炫 .
韩国专利 :CN120108466A ,2025-06-06
[3]
存储装置及其刷新方法 [P]. 
方卿镒 ;
张俊镐 ;
李东起 .
中国专利 :CN109473138A ,2019-03-15
[4]
存储装置及其刷新方法 [P]. 
方卿镒 ;
张俊镐 ;
李东起 .
韩国专利 :CN109473138B ,2024-01-30
[5]
存储装置及其控制方法 [P]. 
长谷川操 .
中国专利 :CN103019970B ,2013-04-03
[6]
存储装置及其控制方法 [P]. 
增渕勇人 .
中国专利 :CN110764964A ,2020-02-07
[7]
存储装置和控制存储装置的方法 [P]. 
朴相龙 ;
李秀雄 ;
千允洙 .
中国专利 :CN112652346A ,2021-04-13
[8]
控制装置、存储装置及存储控制方法 [P]. 
麻生伸吾 .
中国专利 :CN103389943A ,2013-11-13
[9]
存储装置及其读取操作方法 [P]. 
徐准浩 ;
康淑恩 ;
李度暻 ;
李柱元 .
中国专利 :CN113948126A ,2022-01-18
[10]
非易失性半导体存储装置及其控制方法 [P]. 
长富靖 .
中国专利 :CN105161129B ,2015-12-16