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半导体存储器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410259197.4
申请日：
2024-03-07
公开(公告)号：
CN119156016A
公开(公告)日：
2024-12-17
发明(设计)人：
李炅奂 禹明勋 河大元
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H10B51/30
IPC分类号：
H10B51/50
代理机构：
北京市立方律师事务所 11330
代理人：
李娜
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-17 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体存储器件 [P]. 
李炅奂 ;
金容锡 ;
金炫哲 ;
山田悟 ;
柳成原 ;
弘载昊 .
中国专利 :CN113571525A ,2021-10-29
[2]
半导体存储器件 [P]. 
金森宏治 ;
姜书求 ;
姜信焕 .
中国专利 :CN111863823A ,2020-10-30
[3]
半导体存储器件 [P]. 
斋藤利彦 .
中国专利 :CN102150268A ,2011-08-10
[4]
半导体存储器件 [P]. 
李炅奂 ;
金容锡 ;
金一权 ;
金炫哲 ;
徐亨源 ;
柳成原 ;
弘载昊 .
中国专利 :CN114446990A ,2022-05-06
[5]
半导体存储器件 [P]. 
李炅奂 ;
金容锡 ;
金炫哲 ;
山田悟 ;
柳成原 ;
弘载昊 .
中国专利 :CN214672616U ,2021-11-09
[6]
半导体存储器件 [P]. 
金森宏治 ;
姜书求 ;
姜信焕 .
韩国专利 :CN111863823B ,2025-03-07
[7]
半导体存储器件 [P]. 
李炅奂 ;
金容锡 ;
金一权 ;
金熙中 ;
赵珉熙 ;
弘载昊 .
中国专利 :CN114664830A ,2022-06-24
[8]
半导体存储器件 [P]. 
姜玧求 ;
金东泳 ;
金澈虎 ;
朴宰弘 ;
安瑞珍 ;
元硕载 .
韩国专利 :CN120282448A ,2025-07-08
[9]
半导体存储器件 [P]. 
松泽一也 .
中国专利 :CN100391003C ,2005-10-05
[10]
半导体存储器件 [P]. 
岩田浩 ;
柴田晃秀 .
中国专利 :CN1639874A ,2005-07-13
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