一种表面改性高纯纳米二氧化锆粉体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411396552.9

申请日：

2024-10-09

公开(公告)号：

CN119349630A

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

王路科胡法卿范宇升

申请人：

浙江金琨西立锆珠有限公司

申请人地址：

311199 浙江省杭州市钱塘新区临江街道临江高新技术产业园区经六路1399号

IPC主分类号：

C01G25/02

IPC分类号：

B82Y40/00

代理机构：

杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235

代理人：

王莲莲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 25/02申请日:20241009
2025-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高纯纳米二氧化锆的制备方法 [P].

李超 .

中国专利 :CN101830506A ,2010-09-15

[2]

二氧化锆粉体及其制备方法 [P].

朱培函 ;

刘祎辰 ;

欧国胜 ;

戴高环 ;

李毅 .

中国专利 :CN114538508A ,2022-05-27

[3]

纳米级高纯二氧化锆复合粉体的生产方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106866142A ,2017-06-20

[4]

一种钇稳定纳米二氧化锆粉体的制备方法 [P].

王焕平 ;

刘丹 ;

谢红艳 ;

王建武 .

中国专利 :CN102923770B ,2013-02-13

[5]

二氧化锆纳米粉体的制备方法 [P].

赵建玲 ;

李养贤 ;

徐荣清 ;

王西新 ;

米颖娟 .

中国专利 :CN100551830C ,2007-11-14

[6]

一种纳米级二氧化锆粉体的制备方法 [P].

曹子键 .

中国专利 :CN103991905A ,2014-08-20

[7]

超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体及制备方法 [P].

王林芳 ;

胡法卿 ;

范宇升 .

中国专利 :CN111573728B ,2020-08-25

[8]

一种二氧化锆纳米粉体的制备方法 [P].

杨惠琳 ;

张立忠 ;

马金红 ;

任立广 .

中国专利 :CN106006729B ,2016-10-12

[9]

直接沉淀制备高纯二氧化锆的方法 [P].

李树昌 ;

叶吉臣 ;

何航军 ;

凌振章 .

中国专利 :CN1096497A ,1994-12-21

[10]

纳米二氧化锆粉末的制备方法 [P].

陆强 .

中国专利 :CN104324685A ,2015-02-04

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