一种高性能氧化铝陶瓷基板的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411528651.8

申请日：

2024-10-30

公开(公告)号：

CN119462087A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

施俊男江永平周健操蒙碧青

申请人：

湖北华清新材料科技有限公司

申请人地址：

442000 湖北省十堰市茅箭区武当路108号

IPC主分类号：

C04B35/10

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/634 C04B35/632

代理机构：

泉州协创知识产权代理事务所(普通合伙) 35231

代理人：

连小娥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省十堰市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/10申请日:20241030
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法 [P].

冯家伟 ;

施纯锡 .

中国专利 :CN118561605B ,2024-10-15

[2]

一种高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法 [P].

冯家伟 ;

施纯锡 .

中国专利 :CN118561605A ,2024-08-30

[3]

一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法 [P].

周淑英 ;

曹建平 ;

刘平 ;

曹建辉 ;

伍旭辉 ;

吴涛 .

中国专利 :CN116606124B ,2024-05-07

[4]

一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法 [P].

杨大胜 ;

施纯锡 .

中国专利 :CN114538899A ,2022-05-27

[5]

一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法 [P].

张光磊 ;

郝亚龙 ;

李彦芳 ;

杜善国 .

中国专利 :CN118894717A ,2024-11-05

[6]

一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法 [P].

杨大胜 ;

施纯锡 ;

冯家伟 .

中国专利 :CN113121209B ,2021-07-16

[7]

一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法 [P].

张光磊 ;

郝亚龙 ;

李彦芳 ;

杜善国 .

中国专利 :CN118894717B ,2025-01-24

[8]

一种氧化铝陶瓷基板的制备方法 [P].

谢冰洁 ;

秦训功 ;

李方方 ;

郝可 ;

常恪迎 .

中国专利 :CN120647346A ,2025-09-16

[9]

一种纳米晶氧化铝陶瓷的制备方法 [P].

刘金铃 ;

安立楠 .

中国专利 :CN105948726A ,2016-09-21

[10]

一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法 [P].

陈志鹏 ;

余明先 ;

吴通榕 ;

佘晓曼 ;

刘隽 ;

戴高环 ;

李毅 .

中国专利 :CN119774987A ,2025-04-08

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