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一种纳米硅碳负极前驱体的制备方法和纳米硅碳负极材料

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410677987.4
申请日：
2024-05-29
公开(公告)号：
CN118439615B
公开(公告)日：
2025-01-28
发明(设计)人：
刘昭 杨敏
申请人：
四川华宜清创新材料科技有限公司
申请人地址：
644100 四川省宜宾市南溪区四川宜宾南溪经济开发区桂圆路1号
IPC主分类号：
C01B33/02
IPC分类号：
C01B33/021 C01B32/05 B82Y30/00 B82Y40/00 H01M4/36 H01M4/38 H01M4/62 H01M10/0525
代理机构：
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人：
黄燕
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-08-23 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/02申请日:20240529
2024-08-06 公开 公开
2025-01-28 授权 授权
共 50 条
[1]
一种纳米硅碳负极前驱体的制备方法和纳米硅碳负极材料 [P]. 
刘昭 ;
杨敏 .
中国专利 :CN118439615A ,2024-08-06
[2]
一种硅碳负极材料的制备方法和硅碳负极材料 [P]. 
韩峰 ;
王好东 ;
杨璋军 ;
杨攀 .
中国专利 :CN120039887B ,2025-08-29
[3]
一种硅碳负极材料的制备方法和硅碳负极材料 [P]. 
韩峰 ;
王好东 ;
杨璋军 ;
杨攀 .
中国专利 :CN120039887A ,2025-05-27
[4]
一种包覆型碳硅负极材料的制备方法 [P]. 
贺川 ;
杨敏 ;
刘金旭 ;
冯新娅 ;
蔡奇 .
中国专利 :CN111960421A ,2020-11-20
[5]
一种硅碳负极前驱体材料、硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
唐唯佳 ;
杨乐之 ;
涂飞跃 ;
封青阁 ;
汤刚 ;
彭青姣 ;
罗磊 ;
覃事彪 .
中国专利 :CN111653745A ,2020-09-11
[6]
一种硅碳复合材料和硅碳负极片 [P]. 
吴卫卫 ;
孙菡倩 ;
姜福阳 .
中国专利 :CN121192131A ,2025-12-23
[7]
碳化纳米硅负极材料的制备方法 [P]. 
崔立峰 ;
王聪 ;
王辉 ;
杨克涛 .
中国专利 :CN102983310A ,2013-03-20
[8]
一种多孔硅及其制备方法、多孔硅碳负极材料 [P]. 
李文彪 ;
庞恒 ;
夏伦鹏 ;
王义飞 .
中国专利 :CN119890259A ,2025-04-25
[9]
一种碳包覆纳米硅负极材料及其制备方法 [P]. 
刘昭 ;
杨敏 .
中国专利 :CN118136819B ,2024-08-27
[10]
一种碳包覆纳米硅负极材料及其制备方法 [P]. 
刘昭 ;
杨敏 .
中国专利 :CN118136819A ,2024-06-04
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