一种低密度AlNbTaTiZr难熔高熵合金及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411591710.6
申请日
2024-11-08
公开(公告)号
CN119464882A
公开(公告)日
2025-02-18
发明(设计)人
王扬卫 田光祥 赵平洛 鲍佳伟 姜南南
申请人
北京理工大学
申请人地址
100081 北京市海淀区中关村南大街5号
IPC主分类号
C22C30/00
IPC分类号
C22C1/02 C22F1/00
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
北京市 市辖区
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共 50 条
[1]
一种兼具高性能与低密度的轻质难熔高熵合金及其制备方法 [P]. 
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[2]
一种难熔高熵合金及其制备方法 [P]. 
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[3]
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
一种高温耐磨难熔高熵合金及其制备方法 [P]. 
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金池 ;
杨佳伟 ;
康竣泓 ;
王海丰 .
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[8]
一种低密度NbTiTaCrSiC系难熔高熵高温合金 [P]. 
马兆龙 ;
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[9]
一种耐磨难熔高熵合金及其制备方法 [P]. 
周青 ;
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[10]
一种低密度高强塑性FeCrNiAl系高熵合金及其制备方法 [P]. 
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