具有选择性钝化接触结构的TOPCon太阳电池及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411358330.8

申请日：

2024-09-27

公开(公告)号：

CN119325303A

公开(公告)日：

2025-01-17

发明(设计)人：

袁正国谢毅沈文忠马胜李正平丁冬

申请人：

和光同程光伏科技（宜宾）有限公司

申请人地址：

644600 四川省宜宾市叙州区高场镇高新社区金润产业园72栋

IPC主分类号：

H10F77/30

IPC分类号：

H10F77/20 H10F77/122 H10F71/00

代理机构：

北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340

代理人：

杨春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 77/30申请日:20240927
2025-01-17	公开	公开

共 50 条

[1]

具有选择性钝化接触结构的TOPCon太阳电池 [P].

袁正国 ;

谢毅 ;

沈文忠 ;

马胜 ;

李正平 ;

丁冬 .

中国专利 :CN223463291U ,2025-10-21

[2]

具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及组件和系统 [P].

丁东 ;

刘荣林 ;

杜哲仁 ;

全成 ;

马丽敏 ;

陈嘉 ;

林建伟 .

中国专利 :CN217881546U ,2022-11-22

[3]

一种载流子选择性钝化接触太阳电池及其制备方法 [P].

王光红 ;

王文静 ;

赵雷 ;

莫丽玢 ;

刁宏伟 .

中国专利 :CN114122154A ,2022-03-01

[4]

钝化接触结构及其制备方法、太阳电池 [P].

周旭 .

中国专利 :CN117747676A ,2024-03-22

[5]

TOPcon太阳电池及其制备方法 [P].

苏晓峰 ;

陈红 ;

丁留伟 ;

邹杨 ;

汪宏迪 ;

王天成 ;

陈文军 .

中国专利 :CN118073470A ,2024-05-24

[6]

一种选择性钝化接触结构的晶体硅太阳电池及其制备方法 [P].

张树德 ;

钱洪强 ;

李跃 ;

连维飞 ;

魏青竹 ;

倪志春 ;

鲁科 ;

杨智 .

中国专利 :CN110233179A ,2019-09-13

[7]

一种电子选择性钝化接触结构及其制备方法和晶体硅太阳电池 [P].

孟蓝翔 ;

赵会会 ;

梁宗存 ;

王文贤 ;

洪洋 ;

李建新 ;

宋海香 .

中国专利 :CN118198153A ,2024-06-14

[8]

一种具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统 [P].

丁东 ;

刘荣林 ;

杜哲仁 ;

全成 ;

马丽敏 ;

陈嘉 ;

林建伟 .

中国专利 :CN114975691B ,2025-09-05

[9]

正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

张树德 ;

魏青竹 ;

钱洪强 ;

李跃 ;

连维飞 ;

倪志春 ;

刘玉申 ;

杨希峰 .

中国专利 :CN110828583A ,2020-02-21

[10]

多层薄膜钝化接触结构的制备方法及全钝化接触晶硅太阳电池 [P].

于威 ;

黄艳红 ;

贾丽哲 ;

刘林卿 ;

时晓萌 ;

刘啸宇 ;

路万兵 ;

丛日东 .

中国专利 :CN113410334A ,2021-09-17

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