发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911399673.8

申请日：

2019-12-26

公开(公告)号：

CN111509101B

公开(公告)日：

2025-02-14

发明(设计)人：

金在权许暋赞金京完金钟奎金贤儿李俊燮

申请人：

首尔伟傲世有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10H20/841

IPC分类号：

H10H20/857

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

李盛泉;孙昌浩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管 [P].

金在权 ;

许暋赞 ;

金京完 ;

金钟奎 ;

金贤儿 ;

李俊燮 .

中国专利 :CN111509101A ,2020-08-07

[2]

发光二极管 [P].

金钟奎 ;

姜珉佑 ;

吴世熙 ;

林亨镇 .

中国专利 :CN115621388A ,2023-01-17

[3]

发光二极管 [P].

金钟奎 ;

姜珉佑 ;

吴世熙 ;

林亨镇 .

中国专利 :CN111129265A ,2020-05-08

[4]

发光二极管 [P].

金钟奎 ;

姜珉佑 ;

吴世熙 ;

林亨镇 .

中国专利 :CN115621387A ,2023-01-17

[5]

发光二极管 [P].

水谷友哉 ;

海野恒弘 .

中国专利 :CN102386293A ,2012-03-21

[6]

发光二极管 [P].

松下保彦 .

中国专利 :CN100391016C ,2006-02-15

[7]

发光二极管 [P].

沈侠强 ;

李世焕 ;

胡辉 ;

任伟一 .

中国专利 :CN223714521U ,2025-12-23

[8]

发光二极管 [P].

郭茂峰 ;

沈侠强 ;

李世焕 ;

张荣艳 ;

金全鑫 .

中国专利 :CN222639014U ,2025-03-18

[9]

发光二极管和发光二极管模块 [P].

蔡钟炫 ;

卢元英 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

张锺敏 ;

金贤儿 ;

裴善敏 ;

徐大雄 .

中国专利 :CN204167351U ,2015-02-18

[10]

发光二极管及发光二极管封装 [P].

朴德炫 ;

文盛煜 ;

朴相绿 ;

郑炳学 .

中国专利 :CN107851688B ,2018-03-27

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