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粒界相含有サマリウム鉄系希土類永久磁石材料およびその製造方法、並びに応用[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240513242
申请日
:
2023-04-03
公开(公告)号
:
JP2025501432A
公开(公告)日
:
2025-01-22
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C22C38/00
IPC分类号
:
B22D11/06
H01F1/055
H01F41/02
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 39 条
[1]
α-Fe相含有希土類-鉄-窒素系磁性粉体、その製造方法、α-Fe相含有希土類-鉄-窒素系磁性粉体の製造方法[ja]
[P].
OKAZAKI RYOYA
论文数:
0
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0
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0
机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
OKAZAKI RYOYA
;
ABE SATORU
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0
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机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
ABE SATORU
;
AKAMATSU JUN
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机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
AKAMATSU JUN
;
IMAOKA NOBUYOSHI
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机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
IMAOKA NOBUYOSHI
;
OZAKI KOYO
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机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
OZAKI KOYO
;
OKADA SHUSUKE
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机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
OKADA SHUSUKE
;
MATSUMOTO AKIHIRO
论文数:
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机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
MATSUMOTO AKIHIRO
.
日本专利
:JP2025127870A
,2025-09-02
[2]
電着法、電着液及び電着による希土類永久磁石材料の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2018502212A
,2018-01-25
[3]
水素発生材料のCaMg2系合金水素化物およびその調製方法、並びにその応用[ja]
[P].
日本专利
:JP2017533160A
,2017-11-09
[4]
シリコン構造体の製造方法及びその製造装置並びにその製造プログラム[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011001779A1
,2012-12-13
[5]
シリコン構造体の製造方法及びその製造装置並びにその製造プログラム[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011001778A1
,2012-12-13
[6]
GaN系電界効果トランジスタおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006022453A1
,2008-05-08
[7]
整流素子およびそれを用いた電子回路、並びに整流素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005067059A1
,2007-07-26
[8]
リチウムイオン電池用複合リチウム吸蔵材料及びその調製方法と応用[ja]
[P].
日本专利
:JP2025517794A
,2025-06-10
[9]
被覆希土類-鉄-窒素系磁性粉体、その製造方法、磁場増幅用磁性材料、超高周波吸収用磁性材料[ja]
[P].
AKAMATSU JUN
论文数:
0
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0
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0
机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
AKAMATSU JUN
;
ABE SATORU
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机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
ABE SATORU
;
IMAOKA NOBUYOSHI
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机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
IMAOKA NOBUYOSHI
;
ABE MASAHIRO
论文数:
0
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0
机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
ABE MASAHIRO
.
日本专利
:JP2023174580A
,2023-12-07
[10]
高抵抗シリコンウェーハの製造方法、並びにエピタキシャルウェーハおよびSOIウェーハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005038899A1
,2007-02-01
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