存储器及其制造方法、电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310927080.4

申请日：

2023-07-26

公开(公告)号：

CN119383975A

公开(公告)日：

2025-01-28

发明(设计)人：

刘朝

申请人：

北京超弦存储器研究院

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室

IPC主分类号：

H10B43/30

IPC分类号：

H10B43/27 H10B43/10 H10B41/30 H10B41/27 H10B41/10

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

陈丹;栗若木

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/30申请日:20230726
2025-01-28	公开	公开

共 50 条

[1]

存储器及其制造方法、电子设备 [P].

辛拓 ;

刘朝 ;

黑泽峘 .

中国专利 :CN119342803A ,2025-01-21

[2]

存储器及其制造方法、电子设备 [P].

艾学正 ;

王祥升 ;

王桂磊 ;

赵超 ;

戴瑾 ;

桂文华 ;

于伟 .

中国专利 :CN118742019B ,2025-08-05

[3]

存储器及其制造方法、电子设备 [P].

艾学正 ;

王祥升 ;

王桂磊 ;

赵超 ;

戴瑾 ;

桂文华 ;

于伟 .

中国专利 :CN118742019A ,2024-10-01

[4]

半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备 [P].

董树成 ;

田超 ;

平延磊 ;

戴瑾 ;

王祥升 .

中国专利 :CN119997554A ,2025-05-13

[5]

存储器及其制造方法、电子设备 [P].

关超阳 ;

韩宝东 ;

刘健 ;

罗东 ;

金娇 .

中国专利 :CN119212379B ,2025-10-03

[6]

存储器及其制造方法、电子设备 [P].

李蔚然 ;

贾礼宾 ;

王耐征 ;

平延磊 ;

董树成 .

中国专利 :CN119947109A ,2025-05-06

[7]

存储器及其制造方法、电子设备 [P].

朱正勇 ;

康卜文 ;

刘朝 ;

戴瑾 ;

张京 ;

黄龙 ;

马艳三 ;

王桂磊 ;

赵超 .

中国专利 :CN117279373B ,2024-03-29

[8]

存储器及其制造方法、电子设备 [P].

艾学正 ;

王祥升 ;

王桂磊 ;

桂文华 ;

赵超 ;

戴瑾 ;

于伟 .

中国专利 :CN118742012A ,2024-10-01

[9]

存储器及其制造方法、电子设备 [P].

关超阳 ;

韩宝东 ;

刘健 ;

罗东 ;

金娇 .

中国专利 :CN119212379A ,2024-12-27

[10]

存储器及其制造方法、电子设备 [P].

艾学正 ;

王祥升 ;

王桂磊 ;

桂文华 ;

赵超 ;

戴瑾 ;

于伟 .

中国专利 :CN118742012B ,2025-09-23

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