基于Ti/TaO<sub>x</sub>忆阻器的人工突触器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411588167.4

申请日：

2024-11-08

公开(公告)号：

CN119486582A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

王长长崔浩男

申请人：

杭州电子科技大学

申请人地址：

310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街1158号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20241108
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

基于Nb<sub>2</sub>C-氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法 [P].

桂友杉 ;

刘晓艳 ;

汪舟 ;

陈骏原 ;

周鹏程 ;

沈竹贤 ;

王凯妮 ;

杨贺然 ;

童祎 .

中国专利 :CN118555906B ,2024-11-19

[2]

基于Nb<sub>2</sub>C-氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法 [P].

桂友杉 ;

刘晓艳 ;

汪舟 ;

陈骏原 ;

周鹏程 ;

沈竹贤 ;

王凯妮 ;

杨贺然 ;

童祎 .

中国专利 :CN118555906A ,2024-08-27

[3]

一种基于光电耦合忆阻器的人工突触器件及其调制方法 [P].

李祎 ;

段念 ;

陈佳 ;

周亚雄 ;

缪向水 .

中国专利 :CN106981567B ,2017-07-25

[4]

一种基于双层TaO<sub>x</sub>的忆阻器及其制备方法和人工触觉神经系统 [P].

江贝 ;

邹旭明 ;

陈雪 ;

吴子晗 .

中国专利 :CN118742196A ,2024-10-01

[5]

一种基于TaO<sub>x</sub>的多功能忆阻器及制备方法 [P].

程晓敏 ;

曹丽娟 ;

罗云皓 ;

缪向水 .

中国专利 :CN119744115B ,2025-10-10

[6]

一种基于TaO<sub>x</sub>的多功能忆阻器及制备方法 [P].

程晓敏 ;

曹丽娟 ;

罗云皓 ;

缪向水 .

中国专利 :CN119744115A ,2025-04-01

[7]

离子插层的人工突触器件及其制备方法 [P].

张跃 ;

苏兆洋 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

荀晓晨 ;

刘菁筱 ;

宣景悦 ;

张珂语 .

中国专利 :CN118382350A ,2024-07-23

[8]

一种基于TaO<sub>x</sub>电子型忆阻器的温感算器件及阵列 [P].

程晓敏 ;

曹丽娟 ;

罗云皓 ;

李家琪 ;

缪向水 .

中国专利 :CN117337129A ,2024-01-02

[9]

一种Cu掺杂的Ti<sub>x</sub>O<sub>y</sub>薄膜忆阻器及制备方法 [P].

袁方 ;

李玉霞 ;

李少岩 ;

邓玥 ;

张鹏 .

中国专利 :CN114242888B ,2025-07-25

[10]

基于纳流体界面型忆阻器的互补型结构突触器件及其制备 [P].

缪向水 ;

何毓辉 ;

陈可欣 .

中国专利 :CN111106239A ,2020-05-05

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