基于金属基底的压电薄膜传感器及加工工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411431811.7

申请日：

2024-10-14

公开(公告)号：

CN119403429A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

王凤起廖成冉小龙叶勤燕何绪林罗坤郑兴平

申请人：

中物院成都科学技术发展中心

申请人地址：

610200 四川省成都市银河路596号

IPC主分类号：

H10N30/30

IPC分类号：

H10N30/076 C23C14/16 C23C14/06 C23C14/35

代理机构：

北京麦宝利知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11733

代理人：

刘丽萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	公开	公开
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 30/30申请日:20241014

共 50 条

[1]

耐辐射的基于金属基底的压电薄膜传感器及紧固件 [P].

何绪林 ;

廖成 ;

冉小龙 ;

罗坤 ;

何铁 ;

叶勤燕 ;

郑兴平 ;

张辰玺 ;

王凤起 .

中国专利 :CN119768029A ,2025-04-04

[2]

制备薄膜传感器的丝网印刷装置、加工工艺及薄膜传感器 [P].

冉小龙 ;

廖成 ;

罗坤 ;

何绪林 ;

叶勤燕 ;

郑兴平 .

中国专利 :CN115320227A ,2022-11-11

[3]

制备薄膜传感器的丝网印刷装置、加工工艺及薄膜传感器 [P].

冉小龙 ;

廖成 ;

罗坤 ;

何绪林 ;

叶勤燕 ;

郑兴平 .

中国专利 :CN115320227B ,2024-09-20

[4]

压电薄膜传感器 [P].

梅珊 ;

陈佳 ;

江敏珍 .

中国专利 :CN305788872S ,2020-05-19

[5]

压电薄膜传感器 [P].

安藤充宏 ;

藤冈英二 ;

小暮俊介 ;

高柳均 ;

森山信宏 ;

须藤隆一 .

中国专利 :CN101784874A ,2010-07-21

[6]

压电薄膜传感器 [P].

孟召龙 .

中国专利 :CN303770632S ,2016-08-03

[7]

压电薄膜传感器 [P].

李彦坤 ;

娄可行 ;

孟召龙 ;

王鹏理 .

中国专利 :CN302788255S ,2014-04-09

[8]

一种基于金属基底的薄膜传感器及紧固件 [P].

何绪林 ;

廖成 ;

冉小龙 ;

叶勤燕 ;

罗坤 ;

郑兴平 .

中国专利 :CN115589763A ,2023-01-10

[9]

一种椭圆柔性基底的压电薄膜传感器 [P].

董维杰 ;

赵昕 ;

白凤仙 .

中国专利 :CN107830877A ,2018-03-23

[10]

压电薄膜片和压电薄膜传感器 [P].

宋细彬 .

中国专利 :CN113937214A ,2022-01-14

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