一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210309182.5

申请日：

2022-03-28

公开(公告)号：

CN114823947B

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

陈佰乐王景熠

申请人：

上海科技大学

申请人地址：

201210 上海市浦东新区华夏中路393号

IPC主分类号：

H10F77/14

IPC分类号：

H10F77/124 H10F77/12 H10F30/222 H10F71/00

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司 31001

代理人：

翁若莹;柏子雵

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法 [P].

陈佰乐 ;

王景熠 .

中国专利 :CN114823947A ,2022-07-29

[2]

超宽光谱光电探测器及其制备方法 [P].

王金忠 ;

张翔宇 ;

蒋洞微 ;

贺雯 .

中国专利 :CN120390465A ,2025-07-29

[3]

用于中红外波段的半导体光电探测器及其制备方法 [P].

陈佰乐 ;

黄健 .

中国专利 :CN111430497B ,2020-07-17

[4]

一种光电探测器及其制备方法 [P].

王子栋 ;

王辰阳 ;

宫相坤 ;

贾耀仓 .

中国专利 :CN114464693A ,2022-05-10

[5]

硅基光电探测器及其制备方法 [P].

杨荣 ;

王庆 ;

余明斌 .

中国专利 :CN117476800A ,2024-01-30

[6]

硅基光电探测器及其制备方法 [P].

杨荣 ;

王庆 ;

余明斌 .

中国专利 :CN117476800B ,2024-04-09

[7]

一种光电探测器及其制备方法 [P].

胡双元 ;

朱忻 ;

帕勒布.巴特查亚 ;

和田修 .

中国专利 :CN104505420B ,2015-04-08

[8]

一种半导体光电探测器及其制备方法 [P].

赵晓龙 ;

谭鹏举 ;

侯小虎 ;

徐光伟 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN112103367B ,2020-12-18

[9]

一种半导体光电探测器芯片及其制备方法 [P].

郑志明 ;

征峰 ;

徐峰 .

中国专利 :CN115832096B ,2025-03-11

[10]

一种碳化硅基全谱响应光电探测器及其制备方法 [P].

崔艳霞 ;

樊亚萍 ;

严贤雍 ;

李国辉 ;

田媛 .

中国专利 :CN113013278B ,2021-06-22

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