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包括晶圆级封装的微电子器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110375997.9
申请日
:
2015-11-05
公开(公告)号
:
CN113113365B
公开(公告)日
:
2025-01-28
发明(设计)人
:
施信益
施能泰
姜序
申请人
:
美光科技公司
申请人地址
:
美国爱达荷州
IPC主分类号
:
H01L23/31
IPC分类号
:
H01L23/498
H05K1/18
代理机构
:
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
:
彭晓文
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-01-28
授权
授权
共 50 条
[1]
包括晶圆级封装的微电子器件
[P].
施信益
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施信益
;
施能泰
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施能泰
;
姜序
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姜序
.
中国专利
:CN113113365A
,2021-07-13
[2]
一种微电子器件用晶圆级封装结构及制造方法
[P].
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机构:
崔健
;
胡皓文
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机构:
北京大学
北京大学
胡皓文
;
论文数:
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机构:
赵前程
.
中国专利
:CN118684188A
,2024-09-24
[3]
封装的微电子器件
[P].
G·L·格拉夫
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G·L·格拉夫
;
P·M·马丁
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P·M·马丁
;
M·E·格罗斯
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M·E·格罗斯
;
M·K·施
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M·K·施
;
M·G·哈尔
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M·G·哈尔
;
E·S·马斯特
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E·S·马斯特
.
中国专利
:CN1270374C
,2003-07-09
[4]
重组晶圆级微电子封装
[P].
I·默罕默德
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I·默罕默德
.
中国专利
:CN104685624A
,2015-06-03
[5]
井下微电子器件的封装
[P].
阿列克谢·里德曼
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阿列克谢·里德曼
;
沈珍珍
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沈珍珍
.
中国专利
:CN111386602A
,2020-07-07
[6]
包括虚设晶粒的微电子器件
[P].
施信益
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施信益
;
施能泰
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施能泰
.
中国专利
:CN113380727A
,2021-09-10
[7]
包括GaN的高压微电子器件
[P].
杰弗里·S·弗林
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杰弗里·S·弗林
;
乔治·R·布兰德斯
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乔治·R·布兰德斯
;
罗伯特·P·沃多
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罗伯特·P·沃多
.
中国专利
:CN100380675C
,2005-08-17
[8]
反向微电子封装上的微电子器件附着
[P].
H·Y·罗
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H·Y·罗
;
C·K·支
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C·K·支
.
中国专利
:CN104335342A
,2015-02-04
[9]
微电子器件封装用固定装置及微电子器件封装方法
[P].
李晓倩
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李晓倩
;
汪洋
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汪洋
;
孟维歌
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孟维歌
;
王春红
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王春红
.
中国专利
:CN114695244A
,2022-07-01
[10]
微电子器件封装用固定装置及微电子器件封装方法
[P].
李晓倩
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机构:
工业和信息化部电子第五研究所华东分所
工业和信息化部电子第五研究所华东分所
李晓倩
;
汪洋
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机构:
工业和信息化部电子第五研究所华东分所
工业和信息化部电子第五研究所华东分所
汪洋
;
孟维歌
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机构:
工业和信息化部电子第五研究所华东分所
工业和信息化部电子第五研究所华东分所
孟维歌
;
王春红
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机构:
工业和信息化部电子第五研究所华东分所
工业和信息化部电子第五研究所华东分所
王春红
.
中国专利
:CN114695244B
,2024-12-13
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