一种低功耗非易失性存储器件、存储阵列及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411441069.8

申请日：

2024-10-16

公开(公告)号：

CN119403130A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

郎莉莉董业民陈晓杰

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H10B61/00

IPC分类号：

H10N50/01 H10N50/10 H10N50/80

代理机构：

上海泰博知识产权代理有限公司 31451

代理人：

魏峯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 61/00申请日:20241016
2025-02-07	公开	公开

共 50 条

[1]

非易失性存储器件及其制备方法 [P].

文才煥 ;

朴鍾旻 ;

金汉洙 ;

高伟 ;

申女 .

中国专利 :CN116916657B ,2025-08-22

[2]

非易失性存储器件和非易失性存储器件的擦除方法 [P].

韩煜基 .

中国专利 :CN107591175B ,2018-01-16

[3]

非易失性存储器件和非易失性存储器件的擦除方法 [P].

韩煜基 .

中国专利 :CN111554342B ,2020-08-18

[4]

非易失性存储器件 [P].

韩龟渊 ;

姜振圭 ;

李来泳 ;

朴世准 ;

李载德 .

中国专利 :CN114155899A ,2022-03-08

[5]

非易失性存储器件 [P].

郑凤吉 ;

申东珍 ;

梁万在 ;

李炳善 ;

张东洙 .

中国专利 :CN114360606A ,2022-04-15

[6]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

吴振勇 .

中国专利 :CN110637368B ,2019-12-31

[7]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

吴振勇 .

中国专利 :CN112864168A ,2021-05-28

[8]

非易失性存储器件及其控制方法 [P].

贾建权 ;

樊堃 .

中国专利 :CN111712877A ,2020-09-25

[9]

操作非易失性存储器件的方法和非易失性存储器件 [P].

崔那荣 ;

朴一汉 ;

宋承桓 .

中国专利 :CN108573722B ,2018-09-25

[10]

非易失性存储器件和操作非易失性存储器件的方法 [P].

姜弼圭 ;

金治贤 ;

朴俊泓 ;

尹梓洋 ;

尹治元 ;

李道田 .

韩国专利 :CN118230772A ,2024-06-21

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