半导体结构和形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411410706.5

申请日：

2024-10-10

公开(公告)号：

CN119421484A

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

李昀昇杨芷欣张智杰王茂南王冠勋施养鑫

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/83

IPC分类号：

H10D62/10 H10D84/03 H10D84/02 H01L23/48 H01L21/768

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/83申请日:20241010
2025-02-11	公开	公开

共 50 条

[1]

形成半导体结构的方法和半导体结构 [P].

辛格·古尔巴格 ;

王柏仁 ;

庄坤苍 .

中国专利 :CN113206041B ,2025-06-03

[2]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

高敏峰 ;

杨敦年 ;

林杏芝 ;

刘人诚 .

中国专利 :CN112151675A ,2020-12-29

[3]

形成半导体结构的方法和半导体结构 [P].

辛格·古尔巴格 ;

王柏仁 ;

庄坤苍 .

中国专利 :CN113206041A ,2021-08-03

[4]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

程仲良 ;

方子韦 ;

吴俊毅 ;

赵皇麟 .

中国专利 :CN111987159A ,2020-11-24

[5]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

高敏峰 ;

杨敦年 ;

林杏芝 ;

刘人诚 .

中国专利 :CN112151675B ,2024-07-16

[6]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

王志庆 ;

苏佳莹 ;

谢文兴 ;

程冠伦 ;

吴忠纬 ;

吴志强 .

中国专利 :CN113571471B ,2024-11-15

[7]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

王志庆 ;

苏佳莹 ;

谢文兴 ;

程冠伦 ;

吴忠纬 ;

吴志强 .

中国专利 :CN113571471A ,2021-10-29

[8]

半导体结构的形成方法和半导体结构 [P].

李勇 .

中国专利 :CN105448680A ,2016-03-30

[9]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

李智銘 ;

廖宏哲 ;

庄坤苍 ;

陆为中 .

中国专利 :CN106803493A ,2017-06-06

[10]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

赖启胜 ;

彭宇凡 ;

陈立庭 ;

吕侑珊 ;

吴于贝 ;

孙维中 ;

彭远清 ;

高魁佑 ;

林士尧 ;

林志翰 ;

刘佩宜 ;

颜精一 .

中国专利 :CN113345891B ,2025-02-11

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