单晶炉及单晶硅制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411734387.3

申请日：

2024-11-29

公开(公告)号：

CN119465399A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

蔡媛媛程立徐森炀

申请人：

西安奕斯伟材料科技股份有限公司西安欣芯材料科技有限公司

申请人地址：

710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室

IPC主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B15/20 C30B15/14

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

张博

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20241129
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

蒲以松 ;

惠聪 .

中国专利 :CN110983429A ,2020-04-10

[2]

单晶炉及单晶硅的制备方法 [P].

李阳 ;

张婉婉 .

中国专利 :CN110760928A ,2020-02-07

[3]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

赵玉智 ;

欧子杨 ;

陈占仓 .

中国专利 :CN119900081A ,2025-04-29

[4]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

赵玉智 ;

欧子杨 ;

陈占仓 ;

魏建兴 ;

蔡辉 .

中国专利 :CN119433688A ,2025-02-14

[5]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

欧子杨 ;

杨宇昂 ;

向鹏 .

中国专利 :CN114197033A ,2022-03-18

[6]

单晶炉及单晶硅的制备方法 [P].

潘浩 .

中国专利 :CN118639314A ,2024-09-13

[7]

一种单晶炉及单晶硅棒的制备方法 [P].

蒲以松 ;

杨帅军 .

中国专利 :CN110923806A ,2020-03-27

[8]

单晶硅生长炉 [P].

李秦霖 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN106894082B ,2017-06-27

[9]

一种用于单晶硅制备的单晶炉及单晶硅的制备方法 [P].

欧子杨 ;

白枭龙 ;

张昕宇 .

中国专利 :CN113106537B ,2021-07-13

[10]

单晶炉及单晶硅棒退火方法 [P].

陈占仓 ;

王鹏飞 ;

孙伟刚 ;

赵玉智 ;

祁玉梦 .

中国专利 :CN120350429A ,2025-07-22

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