学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

半导体纳米颗粒、其制备方法、以及包括其的电致发光器件和显示设备

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411004299.8
申请日：
2024-07-25
公开(公告)号：
CN119370883A
公开(公告)日：
2025-01-28
发明(设计)人：
闵智玄 尹多恩 尹园植 李在镕 张豪根 河炫同 韩用锡
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
C01G9/00
IPC分类号：
H10K50/115 C01B19/00 B82Y30/00 B82Y40/00 B82Y20/00
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
金拟粲
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-31 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移IPC(主分类):C01G 9/00登记生效日:20251015变更事项:申请人变更前权利人:三星电子株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:国家或地区变更前权利人:韩国变更后权利人:韩国变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道变更事项:申请人变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:国家或地区变更后权利人:韩国
2025-01-28 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体纳米颗粒、其制造方法、包括其的电致发光器件和显示装置 [P]. 
河炫同 ;
金光熙 ;
闵智玄 ;
尹多恩 ;
尹园植 ;
李在镕 ;
张豪根 .
韩国专利 :CN120424658A ,2025-08-05
[2]
半导体纳米颗粒的制造方法、半导体纳米颗粒、包括半导体纳米颗粒的电致发光器件、和显示装置 [P]. 
尹多恩 ;
河炫同 ;
闵智玄 .
韩国专利 :CN120383936A ,2025-07-29
[3]
电致发光器件、包括其的显示设备和制造其的方法 [P]. 
徐弘圭 ;
车淳旻 ;
金东灿 ;
金恩情 ;
金泰亨 ;
金泰豪 ;
田信爱 ;
郑有晶 .
韩国专利 :CN117396016A ,2024-01-12
[4]
电致发光器件、其制造方法、和包括其的显示设备 [P]. 
金璨秀 ;
金星祐 ;
李日荣 ;
郑有晶 ;
韩文奎 .
韩国专利 :CN118284090A ,2024-07-02
[5]
电致发光器件、其制造方法、和包括其的显示设备 [P]. 
郑有晶 ;
金星祐 ;
金东灿 ;
李日荣 ;
金泰豪 ;
徐弘圭 .
韩国专利 :CN118284254A ,2024-07-02
[6]
半导体纳米颗粒、其制造方法、电致发光器件和电子设备 [P]. 
韩用锡 ;
闵智玄 ;
元裕镐 ;
J·A·金 ;
张豪根 ;
河炫同 .
韩国专利 :CN118360059A ,2024-07-19
[7]
半导体纳米颗粒、其制造方法、墨组合物、复合物、设备、电致发光器件和显示设备 [P]. 
河炫同 ;
元裕镐 ;
金泰亨 ;
元那渊 ;
张豪根 .
韩国专利 :CN118064136A ,2024-05-24
[8]
电致发光器件和包括其的显示设备 [P]. 
金光熙 ;
元裕镐 ;
李在镕 ;
O·曹 ;
权河一 ;
金柱炫 ;
尹园植 ;
金泰亨 .
韩国专利 :CN118042857A ,2024-05-14
[9]
电致发光器件、其制造方法以及包括其的显示装置 [P]. 
权河一 ;
金恩情 ;
徐弘圭 ;
车淳旻 ;
金星祐 .
韩国专利 :CN120282648A ,2025-07-08
[10]
电致发光器件、其制造方法以及包括其的显示装置 [P]. 
郑有晶 ;
金星祐 ;
黄成宇 ;
J·A·金 ;
朴秀珍 ;
李日荣 ;
郑希在 ;
车淳旻 .
韩国专利 :CN120435161A ,2025-08-05
12345