一种1MeV以上单能中子注量率的测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111368175.4

申请日：

2021-11-18

公开(公告)号：

CN114185078B

公开(公告)日：

2025-01-14

发明(设计)人：

李立华李玮段君仪夏莉刘蕴韬

申请人：

中国原子能科学研究院

申请人地址：

102413 北京市房山区新镇三强路1号院

IPC主分类号：

G01T3/00

IPC分类号：

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

陈煌辉;张颖玲

法律状态：

授权

国省代码：

内蒙古自治区通辽市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种1MeV以上单能中子注量率的测量方法 [P].

李立华 ;

李玮 ;

段君仪 ;

夏莉 ;

刘蕴韬 .

中国专利 :CN114185078A ,2022-03-15

[2]

散裂中子源1MeV等效中子注量的测量方法 [P].

刘岩 ;

陈伟 ;

郭晓强 ;

金晓明 ;

李俊霖 ;

杨善潮 ;

王晨辉 ;

白小燕 .

中国专利 :CN109541670A ,2019-03-29

[3]

基于栅控技术进行散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法 [P].

刘岩 ;

陈伟 ;

郭晓强 ;

金晓明 ;

李俊霖 ;

白小燕 ;

王晨辉 ;

薛院院 .

中国专利 :CN109490946B ,2019-03-19

[4]

白光中子和准单能中子注量监督方法 [P].

韩金华 ;

郭刚 ;

陈启明 ;

马旭 ;

赵树勇 .

中国专利 :CN117970417A ,2024-05-03

[5]

白光中子和准单能中子注量监督方法 [P].

韩金华 ;

郭刚 ;

陈启明 ;

马旭 ;

赵树勇 .

中国专利 :CN117970417B ,2025-11-18

[6]

用于测量20MeV能区中子注量率的238U裂变电离室 [P].

陈军 ;

刘毅娜 ;

李春娟 ;

王志强 ;

骆海龙 ;

阮锡超 .

中国专利 :CN101236254A ,2008-08-06

[7]

一种基于可逆热流法测量高中子注量率的方法 [P].

杨铜锁 ;

朱庆福 ;

史永谦 ;

张建祥 ;

王璠 ;

彭旦 ;

鲁瑾 ;

辛督强 .

中国专利 :CN115064290B ,2025-04-01

[8]

一种基于可逆热流法测量高中子注量率的方法 [P].

杨铜锁 ;

朱庆福 ;

史永谦 ;

张建祥 ;

王璠 ;

彭旦 ;

鲁瑾 ;

辛督强 .

中国专利 :CN115064290A ,2022-09-16

[9]

一种宽量程中子测量方法 [P].

张锐 ;

陈思泽 ;

赵信怡 ;

冯园园 .

中国专利 :CN120871222A ,2025-10-31

[10]

基于准单能中子参考辐射场的中子注量响应的校准方法 [P].

秦茜 ;

李玮 ;

焦听雨 ;

邓雪莹 ;

王玉禧龙 ;

杨子祥 ;

王晓阳 .

中国专利 :CN117950005A ,2024-04-30

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