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集成氮化镓及氧化镓功率芯片及其制备方法、电子设备

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411589648.7
申请日：
2024-11-08
公开(公告)号：
CN119421482A
公开(公告)日：
2025-02-11
发明(设计)人：
邢志恒 杨少鑫 张智鑫 卓祥景 林忠宝
申请人：
厦门乾照光电股份有限公司
申请人地址：
361100 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号
IPC主分类号：
H10D84/82
IPC分类号：
H10D84/08 H10D30/47 H10D62/82
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
乔图
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/82申请日:20241108
2025-02-11 公开 公开
共 50 条
[1]
基于氧化镓与氮化镓的集成式器件及其制备方法 [P]. 
张晓东 ;
马永健 ;
何涛 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN113823707A ,2021-12-21
[2]
基于氮化镓芯片、芯片制备方法及氮化镓功率器件、电路 [P]. 
侯召政 ;
王汉星 ;
唐高飞 .
中国专利 :CN114730803A ,2022-07-08
[3]
氮化镓芯片及其制备方法 [P]. 
裴风丽 .
中国专利 :CN106299071A ,2017-01-04
[4]
耐压的氮化镓功率器件的结构、芯片及电子设备 [P]. 
李孟泽 ;
黄伟宗 .
中国专利 :CN117690793B ,2024-06-11
[5]
耐压的氮化镓功率器件的结构、芯片及电子设备 [P]. 
李孟泽 ;
黄伟宗 .
中国专利 :CN117690793A ,2024-03-12
[6]
氮化镓集成功率芯片及其制造方法 [P]. 
黎杰 ;
庞振江 ;
洪海敏 ;
温雷 ;
卜小松 ;
葛俊雄 .
中国专利 :CN116230714B ,2025-10-10
[7]
氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件 [P]. 
刘君梦 ;
叶念慈 ;
刘成 ;
王哲力 ;
梁玉玉 .
中国专利 :CN118280836A ,2024-07-02
[8]
氮化镓功率电子器件制备方法和氮化镓功率电子器件 [P]. 
廖富达 ;
苗振林 ;
卢小杰 ;
任星霖 .
中国专利 :CN119673818A ,2025-03-21
[9]
氮化镓功率器件的结构、制造方法及电子设备 [P]. 
李孟泽 ;
黄伟宗 .
中国专利 :CN117690962B ,2024-05-07
[10]
氮化镓功率器件的结构、制造方法及电子设备 [P]. 
李孟泽 ;
黄伟宗 .
中国专利 :CN117690962A ,2024-03-12
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