MOS器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411311214.0

申请日：

2024-09-20

公开(公告)号：

CN118841440B

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

孙伟赵亮亮李勇董大舜

申请人：

芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号-17

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D84/85 H10D84/03

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

顾丹丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-11	授权	授权
2024-10-25	公开	公开
2024-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20240920

共 50 条

[1]

MOS器件及其制作方法 [P].

孙伟 ;

赵亮亮 ;

李勇 ;

董大舜 .

中国专利 :CN118841440A ,2024-10-25

[2]

MOS器件及其制作方法 [P].

陈兴 .

中国专利 :CN120456581A ,2025-08-08

[3]

MOS器件及其制作方法 [P].

宋婉 ;

许昭昭 .

中国专利 :CN114267721A ,2022-04-01

[4]

MOS器件及其制作方法 [P].

陈兴 .

中国专利 :CN120456581B ,2025-09-23

[5]

单环MOS器件及其制作方法 [P].

刘东栋 ;

张洁 .

中国专利 :CN112530806A ,2021-03-19

[6]

MOS器件的制作方法及其版图 [P].

陈瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN112259460B ,2021-01-22

[7]

SiC沟槽MOS器件及其制作方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109411546A ,2019-03-01

[8]

超级结MOS器件及其制作方法 [P].

王宝剑 .

中国专利 :CN117936389A ,2024-04-26

[9]

MOS器件的制作方法 [P].

禹国宾 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102543743A ,2012-07-04

[10]

MOS器件的制作方法 [P].

颜树范 ;

刘须电 .

中国专利 :CN115172170B ,2025-10-28

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