半导体设备和用于制造该半导体设备的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410745604.2
申请日
2024-06-11
公开(公告)号
CN119314946A
公开(公告)日
2025-01-14
发明(设计)人
黄昌渊 朴相洙 崔东求
申请人
爱思开海力士有限公司
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L21/768
IPC分类号
H10B12/00
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
李兴斌;李春辉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法 [P]. 
尹荣广 .
韩国专利 :CN119562590A ,2025-03-04
[2]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法 [P]. 
尹荣广 .
韩国专利 :CN119136537A ,2024-12-13
[3]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法 [P]. 
尹荣广 ;
孙润翼 .
韩国专利 :CN119012688A ,2024-11-22
[4]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法 [P]. 
成旼哲 ;
金世渊 .
韩国专利 :CN119521655A ,2025-02-25
[5]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法 [P]. 
成旼哲 .
韩国专利 :CN119545786A ,2025-02-28
[6]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法 [P]. 
徐秀万 .
韩国专利 :CN119546170A ,2025-02-28
[7]
半导体设备和制造该半导体设备的方法 [P]. 
崔硕珉 ;
张晶植 ;
郭鲁珪 ;
金定焕 ;
朴寅洙 ;
崔元根 .
韩国专利 :CN119212391A ,2024-12-27
[8]
半导体设备和该半导体设备的制造方法 [P]. 
吴尚哲 ;
金明燮 .
韩国专利 :CN119497399A ,2025-02-21
[9]
用于制造半导体设备的方法和半导体设备 [P]. 
M·舒尔茨 ;
S·克洛肯卡佩尔 ;
A·K·T·科纳坎奇 .
中国专利 :CN112563212A ,2021-03-26
[10]
半导体设备和用于制造半导体设备的方法 [P]. 
远藤信之 ;
楠川将司 ;
庄山敏弘 .
中国专利 :CN108122939A ,2018-06-05