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半导体设备和用于制造该半导体设备的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410745604.2
申请日
:
2024-06-11
公开(公告)号
:
CN119314946A
公开(公告)日
:
2025-01-14
发明(设计)人
:
黄昌渊
朴相洙
崔东求
申请人
:
爱思开海力士有限公司
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L21/768
IPC分类号
:
H10B12/00
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
李兴斌;李春辉
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-07
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240611
2025-01-14
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法
[P].
尹荣广
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
尹荣广
.
韩国专利
:CN119562590A
,2025-03-04
[2]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法
[P].
尹荣广
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
尹荣广
.
韩国专利
:CN119136537A
,2024-12-13
[3]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法
[P].
尹荣广
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
尹荣广
;
孙润翼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
孙润翼
.
韩国专利
:CN119012688A
,2024-11-22
[4]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法
[P].
成旼哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
成旼哲
;
金世渊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金世渊
.
韩国专利
:CN119521655A
,2025-02-25
[5]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法
[P].
成旼哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
成旼哲
.
韩国专利
:CN119545786A
,2025-02-28
[6]
半导体设备和用于制造该半导体设备的方法
[P].
徐秀万
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
徐秀万
.
韩国专利
:CN119546170A
,2025-02-28
[7]
半导体设备和制造该半导体设备的方法
[P].
崔硕珉
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
崔硕珉
;
张晶植
论文数:
0
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0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
张晶植
;
郭鲁珪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
郭鲁珪
;
金定焕
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金定焕
;
朴寅洙
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
朴寅洙
;
崔元根
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
崔元根
.
韩国专利
:CN119212391A
,2024-12-27
[8]
半导体设备和该半导体设备的制造方法
[P].
吴尚哲
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
吴尚哲
;
金明燮
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金明燮
.
韩国专利
:CN119497399A
,2025-02-21
[9]
用于制造半导体设备的方法和半导体设备
[P].
M·舒尔茨
论文数:
0
引用数:
0
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0
M·舒尔茨
;
S·克洛肯卡佩尔
论文数:
0
引用数:
0
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S·克洛肯卡佩尔
;
A·K·T·科纳坎奇
论文数:
0
引用数:
0
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0
A·K·T·科纳坎奇
.
中国专利
:CN112563212A
,2021-03-26
[10]
半导体设备和用于制造半导体设备的方法
[P].
远藤信之
论文数:
0
引用数:
0
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远藤信之
;
楠川将司
论文数:
0
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0
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楠川将司
;
庄山敏弘
论文数:
0
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0
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0
庄山敏弘
.
中国专利
:CN108122939A
,2018-06-05
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