一种多功能中间层修饰的硅基纳米线光电阴极及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411482216.6

申请日：

2024-10-23

公开(公告)号：

CN119372698A

公开(公告)日：

2025-01-28

发明(设计)人：

陈治伟时文祥王鑫雨李威李淼涛尤杰刘璋成王霄李杨敖金平

申请人：

江南大学

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区净慧东道66号(江南大学国家大学科技园)

IPC主分类号：

C25B11/091

IPC分类号：

C25B1/04 C25B1/55 C25B11/053 C25B11/059

代理机构：

哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211

代理人：

贾秀丽

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-28	公开	公开
2025-02-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C25B 11/091申请日:20241023

共 50 条

[1]

一种双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极及制备方法 [P].

补钰煜 ;

陈治伟 ;

敖金平 .

中国专利 :CN112442705B ,2021-03-05

[2]

一种硅基纳米线的表面异质修饰方法 [P].

朱贤方 ;

苏江滨 ;

李论雄 ;

吴燕 .

中国专利 :CN101798058B ,2010-08-11

[3]

一种基于硅纳米线基底的光电阴极及其制备方法和应用 [P].

张桂艳 ;

张登松 ;

汪德高 .

中国专利 :CN119980313A ,2025-05-13

[4]

一种硅基光电阴极及其制备方法 [P].

补钰煜 ;

李银梅 .

中国专利 :CN117888134A ,2024-04-16

[5]

一种磷化物修饰的硅基光电阴极材料及其制备方法 [P].

高濂 ;

李峰 ;

张鹏 ;

刘静 .

中国专利 :CN112126945A ,2020-12-25

[6]

一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法 [P].

邹继军 ;

郭栋 ;

朱志甫 ;

彭新村 ;

邓文娟 ;

王炜路 ;

冯林 ;

张益军 ;

常本康 .

中国专利 :CN103594302B ,2014-02-19

[7]

一种硫化钨纳米颗粒修饰的硅光电阴极及其制备方法 [P].

林惠文 ;

常焜 ;

秦亚雷 ;

徐旺 ;

韩文君 .

中国专利 :CN112030176A ,2020-12-04

[8]

外加电场辅助GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

陆菲菲 ;

田健 ;

张杨星月 .

中国专利 :CN110610838B ,2019-12-24

[9]

垂直发射GaAs纳米线阵列光电阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

刁煜 ;

夏斯浩 ;

陆菲菲 ;

田健 .

中国专利 :CN110491751A ,2019-11-22

[10]

一种硅纳米线制备方法 [P].

孙旭冬 ;

熊良斌 ;

张绍安 ;

谢锐浩 ;

孙京菲 .

中国专利 :CN117466300A ,2024-01-30

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