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晶片退火装置及晶片退火工艺方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411550464.X
申请日
:
2024-11-01
公开(公告)号
:
CN119446979A
公开(公告)日
:
2025-02-14
发明(设计)人
:
支毅敏
李治廷
沈勇
申请人
:
赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司
申请人地址
:
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创八街21号院1号楼(北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团)
IPC主分类号
:
H01L21/67
IPC分类号
:
H01L21/687
代理机构
:
北京众达德权知识产权代理有限公司 11570
代理人
:
顾艳宇
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-04
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/67申请日:20241101
2025-02-14
公开
公开
共 50 条
[1]
晶片退火装置及晶片退火方法
[P].
李鑫宇
论文数:
0
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0
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0
李鑫宇
;
杨成慧
论文数:
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0
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杨成慧
.
中国专利
:CN115074838A
,2022-09-20
[2]
晶片退火装置
[P].
胡家乐
论文数:
0
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0
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0
机构:
江苏集芯先进材料有限公司
江苏集芯先进材料有限公司
胡家乐
.
中国专利
:CN221626445U
,2024-08-30
[3]
晶片退火装置
[P].
刘林聪
论文数:
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0
机构:
江苏天科合达半导体有限公司
江苏天科合达半导体有限公司
刘林聪
;
张平
论文数:
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机构:
江苏天科合达半导体有限公司
江苏天科合达半导体有限公司
张平
;
邹宇
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机构:
江苏天科合达半导体有限公司
江苏天科合达半导体有限公司
邹宇
;
杨建
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机构:
江苏天科合达半导体有限公司
江苏天科合达半导体有限公司
杨建
;
彭同华
论文数:
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机构:
江苏天科合达半导体有限公司
江苏天科合达半导体有限公司
彭同华
;
娄艳芳
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机构:
江苏天科合达半导体有限公司
江苏天科合达半导体有限公司
娄艳芳
;
杨占伟
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机构:
江苏天科合达半导体有限公司
江苏天科合达半导体有限公司
杨占伟
;
张大庆
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机构:
江苏天科合达半导体有限公司
江苏天科合达半导体有限公司
张大庆
;
曹洋
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机构:
江苏天科合达半导体有限公司
江苏天科合达半导体有限公司
曹洋
.
中国专利
:CN120158821A
,2025-06-17
[4]
碳化硅晶片退火装置
[P].
夏海洋
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机构:
合肥高纳半导体科技有限责任公司
合肥高纳半导体科技有限责任公司
夏海洋
;
刘少晗
论文数:
0
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机构:
合肥高纳半导体科技有限责任公司
合肥高纳半导体科技有限责任公司
刘少晗
;
张旭
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机构:
合肥高纳半导体科技有限责任公司
合肥高纳半导体科技有限责任公司
张旭
.
中国专利
:CN222251130U
,2024-12-27
[5]
一种蓝宝石晶片退火工艺
[P].
丁云海
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丁云海
;
卢东阳
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卢东阳
;
余胜军
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余胜军
;
张京伟
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0
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0
张京伟
.
中国专利
:CN110846720A
,2020-02-28
[6]
退火装置及退火方法
[P].
谢博钧
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0
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谢博钧
.
中国专利
:CN104124400A
,2014-10-29
[7]
退火装置和退火工艺
[P].
王祖强
论文数:
0
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0
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0
王祖强
.
中国专利
:CN103337457A
,2013-10-02
[8]
一种CdZnTeSe晶片的退火装置
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
李含冬
;
论文数:
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机构:
方晨旭
;
论文数:
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机构:
刘婷
;
论文数:
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机构:
代轶文
;
论文数:
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机构:
赵鹏
;
论文数:
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机构:
李俊烨
;
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机构:
王建伟
;
论文数:
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机构:
姬海宁
;
论文数:
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机构:
牛晓滨
.
中国专利
:CN118292114A
,2024-07-05
[9]
使用晶片亮度来监测激光退火工艺和激光退火工具
[P].
弗兰克·祖普利斯
论文数:
0
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0
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弗兰克·祖普利斯
.
中国专利
:CN112119486A
,2020-12-22
[10]
一种磷化铟晶片退火装置
[P].
房现阁
论文数:
0
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房现阁
;
柯尊斌
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柯尊斌
;
王卿伟
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王卿伟
;
郭友林
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郭友林
.
中国专利
:CN212648204U
,2021-03-02
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