半导体结构及半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110432166.0

申请日：

2021-04-21

公开(公告)号：

CN115223990B

公开(公告)日：

2025-01-21

发明(设计)人：

李斌熊鹏叶偲偲徐一凡王瑜彬

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L23/528

IPC分类号：

H01L21/768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

张毅俊 ;

苏博 .

中国专利 :CN118299404A ,2024-07-05

[2]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

刘晓阳 .

中国专利 :CN117956783A ,2024-04-30

[3]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

神兆旭 ;

李阳 ;

郭俊伟 ;

尹悦 .

中国专利 :CN117954420A ,2024-04-30

[4]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

李智 ;

张小燕 ;

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN117525111A ,2024-02-06

[5]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

邢程 ;

王清蕴 .

中国专利 :CN113314490A ,2021-08-27

[6]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

徐正弘 .

中国专利 :CN117637437A ,2024-03-01

[7]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

于业笑 .

中国专利 :CN113964089B ,2024-05-17

[8]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN113675089B ,2024-09-17

[9]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

张静 .

中国专利 :CN113497142A ,2021-10-12

[10]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN117897819A ,2024-04-16

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