半导体器件制造方法与半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN201811260420.8
申请日
2018-10-26
公开(公告)号
CN111106106B
公开(公告)日
2025-02-25
发明(设计)人
请求不公布姓名
申请人
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H10D84/85
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
半导体器件制造方法与半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111106106A ,2020-05-05
[2]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25
[3]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13
[4]
半导体器件的制造方法、半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111106113A ,2020-05-05
[5]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
金阳 .
中国专利 :CN115332218A ,2022-11-11
[6]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
夏军 ;
白世杰 .
中国专利 :CN116096224B ,2025-08-29
[7]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
陈永凯 .
美国专利 :CN117410829A ,2024-01-16
[8]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
杨旭刚 ;
田月姣 .
中国专利 :CN119108279A ,2024-12-10
[9]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
金阳 .
中国专利 :CN115332160A ,2022-11-11
[10]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
金阳 .
中国专利 :CN115332161A ,2022-11-11