半导体封装和制造半导体封装的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411129186.0

申请日：

2024-08-16

公开(公告)号：

CN119542310A

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

李在彦康东元金多禧宋昌衍李晟旭

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国

IPC主分类号：

H01L23/498

IPC分类号：

H01L21/48 H01L23/485 H01L23/482 H01L21/60

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴晓兵;倪斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

许佳桂 ;

游明志 ;

叶书伸 ;

林柏尧 ;

郑心圃 .

中国专利 :CN114883289A ,2022-08-09

[2]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

T·比尔 ;

D·霍尔兹 ;

R·奥特姆巴 ;

K·希斯 .

中国专利 :CN114284228A ,2022-04-05

[3]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

米尔科·贝尔纳多尼 ;

拉塞·彼得里·帕尔姆 ;

吉尔伯托·库拉托拉 .

中国专利 :CN117730411A ,2024-03-19

[4]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

柳世镇 ;

朱洪燮 ;

韩元吉 .

中国专利 :CN111326430A ,2020-06-23

[5]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

金沅槿 ;

吴琼硕 ;

陈华日 ;

金东宽 ;

金永锡 ;

金载春 ;

黄承泰 .

中国专利 :CN111092074A ,2020-05-01

[6]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

M.丁克尔 ;

P.帕尔姆 ;

赵应山 ;

J.赫格劳尔 ;

R.奥特伦巴 ;

F.施诺伊 .

中国专利 :CN111128938A ,2020-05-08

[7]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

金沅槿 ;

吴琼硕 ;

陈华日 ;

金东宽 ;

金永锡 ;

金载春 ;

黄承泰 .

韩国专利 :CN111092074B ,2025-03-28

[8]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

米尔科·贝尔纳多尼 ;

吉尔伯托·库拉托拉 .

中国专利 :CN117501435A ,2024-02-02

[9]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

柳世镇 ;

朱洪燮 ;

韩元吉 .

韩国专利 :CN111326430B ,2025-04-15

[10]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

M.丁克尔 ;

P.帕尔姆 ;

赵应山 ;

J.赫格劳尔 ;

R.奥特伦巴 ;

F.施诺伊 .

:CN111128938B ,2025-05-09

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