背照式CMOS图像传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411734431.0

申请日：

2022-09-21

公开(公告)号：

CN119562623A

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

李镇宇

申请人：

武汉新芯集成电路股份有限公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H10F39/18

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

顾丹丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/18申请日:20220921
2025-03-04	公开	公开

共 50 条

[1]

背照式CMOS图像传感器 [P].

李镇宇 .

中国专利 :CN115425039B ,2024-11-12

[2]

背照式CMOS图像传感器 [P].

李镇宇 .

中国专利 :CN115425039A ,2022-12-02

[3]

背照式CMOS图像传感器 [P].

张简旭珂 ;

简荣亮 ;

吴斯安 .

中国专利 :CN103165633A ,2013-06-19

[4]

背照式CMOS图像传感器 [P].

李杰 ;

李文强 .

中国专利 :CN203826392U ,2014-09-10

[5]

背照式CMOS图像传感器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106129074B ,2016-11-16

[6]

背照式CMOS图像传感器 [P].

T·J·安德森 ;

J·P·麦卡特恩 ;

J·R·萨马 ;

C·A·蒂瓦拉斯 ;

E·G·史蒂文森 .

中国专利 :CN102362351B ,2012-02-22

[7]

背照式图像传感器 [P].

李镇宇 .

中国专利 :CN115347010B ,2024-11-12

[8]

背照式图像传感器 [P].

李镇宇 .

中国专利 :CN115347010A ,2022-11-15

[9]

制造背照式CMOS图像传感器的方法 [P].

方明旭 ;

夏春秋 ;

柯天麒 .

中国专利 :CN110400818A ,2019-11-01

[10]

背照式CMOS图像传感器及其制造方法 [P].

邢家明 ;

高喜峰 ;

叶菁 ;

施喆天 .

中国专利 :CN107195649B ,2017-09-22

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