高电压结终端结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410678527.3

申请日：

2024-05-29

公开(公告)号：

CN119521787A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

陈柏安

申请人：

新唐科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H10D89/60

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

郝博

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 89/60申请日:20240529
2025-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

用于高电压超结终端的工艺 [P].

石甫渊 ;

布赖恩·D·普拉特 .

中国专利 :CN101421836B ,2009-04-29

[2]

高耐压超结终端结构 [P].

唐义洲 .

中国专利 :CN118099187A ,2024-05-28

[3]

具有高电压结终端的高电压电阻器 [P].

苏如意 ;

杨富智 ;

蔡俊琳 ;

郑志昌 ;

柳瑞兴 .

中国专利 :CN102915997A ,2013-02-06

[4]

横向变掺杂结终端结构 [P].

任敏 ;

马怡宁 ;

胡玉芳 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110518060B ,2019-11-29

[5]

一种高耐压超结终端结构的制备方法 [P].

任敏 ;

王为 ;

姚鑫 ;

吴玉舟 ;

许高潮 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN104103522A ,2014-10-15

[6]

一种高耐压超结终端结构 [P].

唐义洲 .

中国专利 :CN221994472U ,2024-11-12

[7]

用于宽禁带功率器件的结终端结构 [P].

巴特·范·杰格布里克 .

中国专利 :CN101405871A ,2009-04-08

[8]

超结器件的结终端结构 [P].

陈桥梁 ;

姜贯军 ;

陈仕全 ;

马治军 ;

杜忠鹏 .

中国专利 :CN102931218B ,2013-02-13

[9]

超结MOSFET单结终端结构 [P].

白玉明 ;

徐承福 ;

张海涛 .

中国专利 :CN206650083U ,2017-11-17

[10]

一种超结终端结构 [P].

杨国江 ;

郭智 ;

汪阳 .

中国专利 :CN114429984A ,2022-05-03

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