高电子迁移率电晶体及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311079875.0

申请日：

2023-08-25

公开(公告)号：

CN119545830A

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

张翼林岳钦杨贺宇曾皓

申请人：

财团法人交大思源基金会

申请人地址：

中国台湾新竹市大学路1001号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D64/00 H10D64/27

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李鹏宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	公开	公开
2025-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20230825

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

刘浪 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115472671B ,2025-09-16

[2]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

刘浪 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115472671A ,2022-12-13

[3]

高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管 [P].

蔡政原 .

中国专利 :CN214705936U ,2021-11-12

[4]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

:CN110754002B ,2024-03-19

[5]

高电子迁移率晶体管 [P].

黄仁俊 ;

吴在浚 ;

李在垣 ;

崔孝枝 ;

河种奉 .

中国专利 :CN103151374A ,2013-06-12

[6]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

中国专利 :CN110754002A ,2020-02-04

[7]

高电子迁移率晶体管 [P].

张昇 ;

魏珂 ;

张一川 .

中国专利 :CN108777262A ,2018-11-09

[8]

高电子迁移率晶体管 [P].

李源祥 .

中国专利 :CN114122128A ,2022-03-01

[9]

高电子迁移率晶体管 [P].

李源祥 .

中国专利 :CN109716530B ,2019-05-03

[10]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

包琦龙 ;

邓坚 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103681831B ,2014-03-26

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