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半导体受光元件以及半导体受光元件制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980094579.3
申请日：
2019-04-05
公开(公告)号：
CN113632243B
公开(公告)日：
2025-03-04
发明(设计)人：
竹村亮太 菊地真人武
申请人：
三菱电机株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H10F30/225
IPC分类号：
H10F77/14 H10F71/00
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
张青;卢英日
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-04 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体受光元件以及半导体受光元件制造方法 [P]. 
竹村亮太 ;
菊地真人武 .
中国专利 :CN113632243A ,2021-11-09
[2]
半导体受光元件以及半导体受光元件的制造方法 [P]. 
山口晴央 ;
宫崎泰典 .
日本专利 :CN120958981A ,2025-11-14
[3]
半导体受光元件及半导体受光元件的制造方法 [P]. 
山口晴央 ;
石村荣太郎 ;
丹羽显嗣 ;
竹村亮太 .
日本专利 :CN119404612A ,2025-02-07
[4]
半导体受光元件 [P]. 
石村荣太郎 ;
山口晴央 ;
丹羽显嗣 ;
竹村亮太 .
日本专利 :CN119563393A ,2025-03-04
[5]
半导体受光元件 [P]. 
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101521245A ,2009-09-02
[6]
半导体受光元件 [P]. 
田口桂基 ;
牧野健二 ;
大重美明 ;
石原兆 .
日本专利 :CN119318221A ,2025-01-14
[7]
半导体受光元件 [P]. 
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101626043B ,2010-01-13
[8]
半导体受光元件 [P]. 
名田允洋 ;
吉松俊英 ;
中岛史人 ;
山田友辉 .
中国专利 :CN113678266A ,2021-11-19
[9]
半导体受光元件 [P]. 
田口桂基 ;
石原兆 ;
大重美明 ;
牧野健二 .
日本专利 :CN119318222A ,2025-01-14
[10]
半导体受光元件 [P]. 
笹畑圭史 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN102280516A ,2011-12-14
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