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光子晶体面发光激光器及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202380052803.9
申请日
:
2023-04-25
公开(公告)号
:
CN119522517A
公开(公告)日
:
2025-02-25
发明(设计)人
:
伊藤友树
河野直哉
野田进
梅纳卡·德·索伊萨
吉田昌宏
井上卓也
石崎贤司
申请人
:
住友电气工业株式会社
国立大学法人京都大学
申请人地址
:
日本大阪府
IPC主分类号
:
H01S5/11
IPC分类号
:
H01S5/183
代理机构
:
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人
:
吴大建;霍玉娟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-25
公开
公开
2025-03-14
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/11申请日:20230425
共 50 条
[1]
二维光子晶体面发光激光器及其制造方法
[P].
野田进
论文数:
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野田进
;
田中良典
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田中良典
;
梅纳卡·德·索伊萨
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梅纳卡·德·索伊萨
.
中国专利
:CN108701965B
,2018-10-23
[2]
二维光子晶体面发光激光器
[P].
野田進
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野田進
;
冲野刚士
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冲野刚士
;
北村恭子
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北村恭子
;
田中良典
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田中良典
;
梁永
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梁永
.
中国专利
:CN105191029B
,2015-12-23
[3]
二维光子晶体面发光激光器
[P].
野田进
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野田进
;
井上卓也
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井上卓也
;
吉田昌宏
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吉田昌宏
;
M·德佐萨
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M·德佐萨
.
中国专利
:CN113454858A
,2021-09-28
[4]
二维光子晶体面发光激光器
[P].
野田进
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野田进
;
横山光
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横山光
;
关根孝二郎
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关根孝二郎
;
宫井英次
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宫井英次
.
中国专利
:CN100433473C
,2006-04-26
[5]
二维光子晶体面发光激光器
[P].
野田进
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野田进
;
井上卓也
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井上卓也
;
吉田昌宏
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吉田昌宏
;
M·德佐萨
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M·德佐萨
.
中国专利
:CN114287089A
,2022-04-05
[6]
二维光子晶体面发光激光器
[P].
野田进
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机构:
国立大学法人京都大学
国立大学法人京都大学
野田进
;
井上卓也
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国立大学法人京都大学
国立大学法人京都大学
井上卓也
;
吉田昌宏
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国立大学法人京都大学
国立大学法人京都大学
吉田昌宏
;
M·德佐萨
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机构:
国立大学法人京都大学
国立大学法人京都大学
M·德佐萨
.
日本专利
:CN114287089B
,2024-04-05
[7]
二维光子晶体面发光激光器
[P].
野田进
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机构:
国立大学法人京都大学
国立大学法人京都大学
野田进
;
井上卓也
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机构:
国立大学法人京都大学
国立大学法人京都大学
井上卓也
;
吉田昌宏
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国立大学法人京都大学
国立大学法人京都大学
吉田昌宏
;
M·德佐萨
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机构:
国立大学法人京都大学
国立大学法人京都大学
M·德佐萨
.
日本专利
:CN113454858B
,2024-02-02
[8]
光子晶体面发射激光器
[P].
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机构:
郑婉华
;
廖子源
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
廖子源
;
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王宇飞
;
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齐爱谊
;
韩韧博
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中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
韩韧博
;
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机构:
季海洋
;
陈杨
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
陈杨
;
朱蕴之
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
朱蕴之
.
中国专利
:CN119481949A
,2025-02-18
[9]
光子晶体面发射激光器
[P].
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机构:
郑婉华
;
廖子源
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
廖子源
;
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机构:
王宇飞
;
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机构:
齐爱谊
;
韩韧博
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
韩韧博
;
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机构:
季海洋
;
陈杨
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
陈杨
;
朱蕴之
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
朱蕴之
.
中国专利
:CN119481949B
,2025-04-11
[10]
面发光激光器及其制造方法
[P].
井久田光弘
论文数:
0
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井久田光弘
.
中国专利
:CN101685941A
,2010-03-31
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