一种掺杂硅纳米线及其制备装置、制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311119492.1

申请日：

2023-08-31

公开(公告)号：

CN119528147A

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

刘国钧张涛廖健淞郭小平谷智强黄艳萍张明

申请人：

拓米（成都）应用技术研究院有限公司

申请人地址：

611730 四川省成都市郫都区德源镇（菁蓉镇）郫温路266号创客公园2期7栋3楼

IPC主分类号：

C01B33/03

IPC分类号：

B82Y30/00 B82Y40/00

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

曾菊花

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

四川省成都市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/03申请日:20230831
2025-02-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅纳米线及其制备方法和应用 [P].

张涛 ;

刘国钧 ;

廖健淞 ;

李钧 .

中国专利 :CN119191303A ,2024-12-27

[2]

一种硅纳米线负极片及其制备方法与应用 [P].

郭小平 ;

陈茜 ;

刘中才 .

中国专利 :CN117438530A ,2024-01-23

[3]

一种硅纳米线制备方法 [P].

孙旭冬 ;

熊良斌 ;

张绍安 ;

谢锐浩 ;

孙京菲 .

中国专利 :CN117466300A ,2024-01-30

[4]

一种利用金属卤化物制备硅纳米线的方法及制得的硅纳米线与用途 [P].

刘国钧 ;

张涛 ;

廖健淞 ;

郭小平 ;

李钧 .

中国专利 :CN119118133A ,2024-12-13

[5]

一种硅纳米线及其制备方法和应用 [P].

杨宁宁 ;

廖健淞 ;

黄艳萍 ;

杨淋 ;

李钧 ;

刘中才 ;

郑春红 ;

范磊 .

中国专利 :CN117976820A ,2024-05-03

[6]

一种硅纳米线及其制备方法和应用 [P].

陈王华 ;

朱贤骏 ;

余睿智 ;

师昳婧 .

中国专利 :CN120527378A ,2025-08-22

[7]

一种硅纳米线及其制备方法和应用 [P].

陈王华 ;

朱贤骏 ;

余睿智 ;

师昳婧 .

中国专利 :CN120527378B ,2025-10-03

[8]

一种硅纳米线及其制备方法 [P].

许向东 ;

王银川 ;

刘忠范 .

中国专利 :CN1590599A ,2005-03-09

[9]

一种硅纳米线复合电极及其制备和应用 [P].

文钟晟 ;

张钟元 ;

王冠琴 ;

李嵩 ;

孙俊才 ;

季世军 .

中国专利 :CN104409686A ,2015-03-11

[10]

一种硅纳米线制备装置系统及制备方法 [P].

廖健淞 ;

刘国钧 ;

李钧 ;

刘中才 ;

郭小平 .

中国专利 :CN119100399A ,2024-12-10

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