带有容纳滤波器芯片腔室的多芯片封装结构及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810909265.1
申请日
2018-08-10
公开(公告)号
CN108711569B
公开(公告)日
2025-02-28
发明(设计)人
付伟
申请人
浙江熔城半导体有限公司
申请人地址
313200 浙江省湖州市德清县阜溪街道长虹东街926号(莫干山国家高新区)
IPC主分类号
H10D80/30
IPC分类号
H10D80/20 H01L23/538 H01L21/52
代理机构
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235
代理人
沈晓敏
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
带有容纳滤波器芯片腔室的多芯片封装结构及其制作方法 [P]. 
付伟 .
中国专利 :CN108711569A ,2018-10-26
[2]
带有容纳功能芯片腔室的多芯片封装结构及其制作方法 [P]. 
付伟 .
中国专利 :CN109087911B ,2024-08-02
[3]
带有容纳功能芯片腔室的多芯片封装结构及其制作方法 [P]. 
付伟 .
中国专利 :CN109087911A ,2018-12-25
[4]
带有腔室的多芯片封装结构及其制作方法 [P]. 
付伟 .
中国专利 :CN109087912B ,2024-07-26
[5]
带有腔室的多芯片封装结构及其制作方法 [P]. 
付伟 .
中国专利 :CN109087912A ,2018-12-25
[6]
具有多腔室的多芯片封装结构及其制作方法 [P]. 
付伟 .
中国专利 :CN108766956B ,2024-08-06
[7]
具有多腔室的多芯片封装结构及其制作方法 [P]. 
付伟 .
中国专利 :CN108766956A ,2018-11-06
[8]
带有腔室的上下堆叠式多芯片封装结构及其制作方法 [P]. 
付伟 .
中国专利 :CN108831881A ,2018-11-16
[9]
带有腔室的上下堆叠式多芯片封装结构及其制作方法 [P]. 
付伟 .
中国专利 :CN108831881B ,2024-08-02
[10]
集成芯片封装结构的多芯片封装结构及其制作方法 [P]. 
付伟 .
中国专利 :CN108711570A ,2018-10-26