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一种降低氮化铝陶瓷排胶温度的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411222871.8
申请日
:
2024-09-03
公开(公告)号
:
CN119490358A
公开(公告)日
:
2025-02-21
发明(设计)人
:
李君
戴毅
石锗元
肖伟
陈振宁
陈庶舒
申请人
:
君原电子科技(海宁)有限公司
申请人地址
:
314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区谷水路306号天通泛半导体产业园2幢
IPC主分类号
:
C04B35/634
IPC分类号
:
B28B11/24
B28B11/00
C04B35/63
C04B35/638
C04B35/581
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
公开
国省代码
:
河北省 衡水市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-21
公开
公开
2025-03-11
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/634申请日:20240903
共 50 条
[1]
一种氮化铝生坯的排胶方法及氮化铝陶瓷基板的制备方法
[P].
邱基华
论文数:
0
引用数:
0
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邱基华
;
童文欣
论文数:
0
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0
童文欣
.
中国专利
:CN106631037A
,2017-05-10
[2]
一种氮化铝陶瓷排胶尾气处理系统
[P].
徐学磊
论文数:
0
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机构:
成都旭瓷新材料有限公司
成都旭瓷新材料有限公司
徐学磊
;
袁振侠
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机构:
成都旭瓷新材料有限公司
成都旭瓷新材料有限公司
袁振侠
;
王明清
论文数:
0
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0
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机构:
成都旭瓷新材料有限公司
成都旭瓷新材料有限公司
王明清
;
黄金侠
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0
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机构:
成都旭瓷新材料有限公司
成都旭瓷新材料有限公司
黄金侠
;
赵海
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0
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机构:
成都旭瓷新材料有限公司
成都旭瓷新材料有限公司
赵海
;
李东阳
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0
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机构:
成都旭瓷新材料有限公司
成都旭瓷新材料有限公司
李东阳
.
中国专利
:CN222718217U
,2025-04-04
[3]
一种氮化铝陶瓷的烧结方法
[P].
许经东
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机构:
杭州大和江东新材料科技有限公司
杭州大和江东新材料科技有限公司
许经东
;
马玉琦
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机构:
杭州大和江东新材料科技有限公司
杭州大和江东新材料科技有限公司
马玉琦
.
中国专利
:CN117964377A
,2024-05-03
[4]
一种适用于高热导率氮化铝陶瓷的排胶方法
[P].
王洋
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0
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机构:
苏州众芯联电子材料有限公司
苏州众芯联电子材料有限公司
王洋
;
张立祥
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机构:
苏州众芯联电子材料有限公司
苏州众芯联电子材料有限公司
张立祥
.
中国专利
:CN117550902A
,2024-02-13
[5]
一种适用于高热导率氮化铝陶瓷的排胶方法
[P].
王洋
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0
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机构:
苏州众芯联电子材料有限公司
苏州众芯联电子材料有限公司
王洋
;
张立祥
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0
机构:
苏州众芯联电子材料有限公司
苏州众芯联电子材料有限公司
张立祥
.
中国专利
:CN117550902B
,2024-09-17
[6]
一种氮化铝陶瓷静电卡盘用钼浆及其制备方法
[P].
洪国志
论文数:
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机构:
君原电子科技(海宁)有限公司
君原电子科技(海宁)有限公司
洪国志
;
石锗元
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机构:
君原电子科技(海宁)有限公司
君原电子科技(海宁)有限公司
石锗元
;
李君
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机构:
君原电子科技(海宁)有限公司
君原电子科技(海宁)有限公司
李君
;
肖伟
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机构:
君原电子科技(海宁)有限公司
君原电子科技(海宁)有限公司
肖伟
.
中国专利
:CN118405941A
,2024-07-30
[7]
氮化铝陶瓷流延浆料、氮化铝陶瓷基板及制备方法
[P].
宿金栋
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宿金栋
;
蒋韶华
论文数:
0
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蒋韶华
;
范宇
论文数:
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范宇
;
余亮
论文数:
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0
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余亮
;
郭槐
论文数:
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郭槐
;
梁宝龙
论文数:
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0
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0
梁宝龙
.
中国专利
:CN113773091A
,2021-12-10
[8]
用于流延成形的氮化铝陶瓷浆料、氮化铝陶瓷及其制备方法
[P].
刘志哲
论文数:
0
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机构:
湖北芯中达材料科技有限公司
湖北芯中达材料科技有限公司
刘志哲
;
周士翔
论文数:
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机构:
湖北芯中达材料科技有限公司
湖北芯中达材料科技有限公司
周士翔
;
胡奇佳
论文数:
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机构:
湖北芯中达材料科技有限公司
湖北芯中达材料科技有限公司
胡奇佳
;
郭翔
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机构:
湖北芯中达材料科技有限公司
湖北芯中达材料科技有限公司
郭翔
;
武宏飞
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机构:
湖北芯中达材料科技有限公司
湖北芯中达材料科技有限公司
武宏飞
;
张口笑
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机构:
湖北芯中达材料科技有限公司
湖北芯中达材料科技有限公司
张口笑
;
邱宇泽
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机构:
湖北芯中达材料科技有限公司
湖北芯中达材料科技有限公司
邱宇泽
.
中国专利
:CN120271368A
,2025-07-08
[9]
原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法及氮化铝陶瓷
[P].
刘志哲
论文数:
0
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机构:
湖北芯中达半导体有限公司
湖北芯中达半导体有限公司
刘志哲
;
周士翔
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机构:
湖北芯中达半导体有限公司
湖北芯中达半导体有限公司
周士翔
;
胡奇佳
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机构:
湖北芯中达半导体有限公司
湖北芯中达半导体有限公司
胡奇佳
;
冷迪飞
论文数:
0
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机构:
湖北芯中达半导体有限公司
湖北芯中达半导体有限公司
冷迪飞
;
张口笑
论文数:
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机构:
湖北芯中达半导体有限公司
湖北芯中达半导体有限公司
张口笑
;
邱赛西
论文数:
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机构:
湖北芯中达半导体有限公司
湖北芯中达半导体有限公司
邱赛西
.
中国专利
:CN118930278A
,2024-11-12
[10]
一种氮化铝陶瓷
[P].
孙琼珂
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孙琼珂
;
周军州
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周军州
;
韩建乐
论文数:
0
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0
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韩建乐
.
中国专利
:CN107935601A
,2018-04-20
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