一种碳化硅气相外延反应系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410798403.9

申请日：

2024-06-20

公开(公告)号：

CN118668294B

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

杨波文文文成

申请人：

江苏汉印机电科技股份有限公司

申请人地址：

224000 江苏省盐城市高新技术产业区凤凰南路18号

IPC主分类号：

C30B25/02

IPC分类号：

C30B25/12 C30B25/10 C30B29/36

代理机构：

盐城大马猴知识产权代理事务所(普通合伙) 32838

代理人：

董青青

法律状态：

公开

国省代码：

湖南省湘西土家族苗族自治州

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-20	公开	公开
2025-02-28	授权	授权
2024-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/02申请日:20240620

共 50 条

[1]

一种碳化硅气相外延反应系统 [P].

杨波 ;

文文 ;

文成 .

中国专利 :CN118668294A ,2024-09-20

[2]

一种碳化硅气相外延室 [P].

文文 ;

文成 ;

牧青 .

中国专利 :CN118621437A ,2024-09-10

[3]

一种碳化硅气相外延室 [P].

文文 ;

文成 ;

牧青 .

中国专利 :CN118621437B ,2025-02-28

[4]

一种碳化硅外延化学气相沉积系统 [P].

文成 ;

牧青 ;

李宝 .

中国专利 :CN117265650B ,2024-05-03

[5]

碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置 [P].

丁昌钊 ;

巩泉雨 ;

区灿林 ;

谢春林 ;

周维 .

中国专利 :CN222861711U ,2025-05-13

[6]

一种碳化硅外延衬底 [P].

郑友进 ;

黄海亮 ;

左桂鸿 ;

王丹 .

中国专利 :CN110600594A ,2019-12-20

[7]

一种碳化硅外延生长反应室 [P].

冯淦 ;

赵建辉 .

中国专利 :CN203569238U ,2014-04-30

[8]

一种碳化硅外延生长反应室 [P].

王燚迪 ;

陈亮 ;

李雨 ;

李静 .

中国专利 :CN222434682U ,2025-02-07

[9]

一种碳化硅外延生长反应室 [P].

陈亮 ;

王燚迪 ;

李雨 ;

李静 .

中国专利 :CN118064970A ,2024-05-24

[10]

碳化硅化学气相外延载物台装置 [P].

朱明星 ;

石彪 ;

陈义 ;

刘学超 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103173737B ,2013-06-26

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