用于射频(RF)开关的动态本体偏置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380053133.2

申请日：

2023-06-29

公开(公告)号：

CN119563284A

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

R·P·K·维杜拉 A·保罗 H·郑

申请人：

高通股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H03K17/687

IPC分类号：

H10D86/00

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

张宁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	公开	公开
2025-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H03K 17/687申请日:20230629

共 50 条

[1]

用于射频（RF）开关的动态体偏置 [P].

R·P·K·维杜拉 ;

A·保罗 ;

H·郑 .

美国专利 :CN120569903A ,2025-08-29

[2]

用于RF开关优化的本体偏置 [P].

H·康 .

中国专利 :CN105450205A ,2016-03-30

[3]

具有动态偏置的射频开关设备 [P].

赵炳学 ;

金正勋 ;

白铉 ;

张英雄 .

中国专利 :CN108075751A ,2018-05-25

[4]

射频开关偏置拓扑 [P].

林磊 .

中国专利 :CN115149935A ,2022-10-04

[5]

用于偏置射频开关的装置和方法 [P].

T·考库格鲁 ;

B·T·卡维斯 ;

Y·A·阿特萨尔 .

中国专利 :CN105490670A ,2016-04-13

[6]

用于MOS的自适应本体偏置的动态阈值发生器 [P].

陈敏 ;

刘文 .

中国专利 :CN106712754A ,2017-05-24

[7]

用于集成电路本体偏置的方法和电路 [P].

F·卡绍 ;

V·于阿尔 .

中国专利 :CN108075754A ,2018-05-25

[8]

防止静电放电的本体偏置PMOS保护 [P].

C·T·萨林 ;

C·杜沃瑞 ;

G·博塞利 .

中国专利 :CN101443908A ,2009-05-27

[9]

一种用于射频开关的偏置电路、及射频通信装置 [P].

王小保 ;

赵卫军 ;

余冰 ;

杨红祥 ;

牟加伟 .

中国专利 :CN209692726U ,2019-11-26

[10]

一种用于射频开关的偏置电路、及射频通信装置 [P].

王小保 ;

赵卫军 ;

余冰 ;

杨红祥 ;

牟加伟 .

中国专利 :CN209692727U ,2019-11-26

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