光激发磁传感器和脑磁仪

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411198597.5

申请日：

2024-08-29

公开(公告)号：

CN119535310A

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

森谷隆广笈田武范齐藤右典须山本比吕伊藤阳介上田博之

申请人：

浜松光子学株式会社国立大学法人京都大学

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

G01R33/032

IPC分类号：

A61B5/245

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

杨琦;徐飞跃

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	公开	公开

共 50 条

[1]

光激发磁传感器和脑磁仪 [P].

齐藤右典 ;

笈田武范 ;

森谷隆广 ;

须山本比吕 ;

伊藤阳介 ;

上田博之 .

日本专利 :CN119535309A ,2025-02-28

[2]

光激发磁传感器 [P].

齐藤右典 ;

森谷隆广 ;

笈田武范 ;

须山本比吕 ;

小林哲生 .

中国专利 :CN113805120A ,2021-12-17

[3]

光激发磁传感器 [P].

齐藤右典 ;

森谷隆广 ;

笈田武范 ;

须山本比吕 ;

小林哲生 .

中国专利 :CN115436852A ,2022-12-06

[4]

光激发磁传感器及光激发磁测定方法 [P].

山田将来 ;

武宫孝嗣 .

日本专利 :CN113359068B ,2024-10-29

[5]

光激发磁传感器及光激发磁测定方法 [P].

山田将来 ;

武宫孝嗣 .

中国专利 :CN113359068A ,2021-09-07

[6]

磁－光传感器 [P].

K·－L·J·邓 ;

G·A·福尔曼 .

中国专利 :CN1808167A ,2006-07-26

[7]

磁传感器和磁传感器系统 [P].

平木哲也 ;

牧野健三 ;

太田尚城 .

日本专利 :CN115734702B ,2025-10-28

[8]

磁传感器和磁传感器系统 [P].

猿木俊司 ;

平林启 ;

酒井正则 .

中国专利 :CN112051524A ,2020-12-08

[9]

磁传感器和磁传感器装置 [P].

深井健太郎 ;

有山稔 .

中国专利 :CN107167164A ,2017-09-15

[10]

磁传感器芯片以及磁传感器 [P].

曲炳郡 ;

熊伟 .

中国专利 :CN103562739B ,2014-02-05

← 1 2 3 4 5 →