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半導体チップが形成されたウェーハの加工方法及びそれに用いる加工装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240214548
申请日
:
2024-12-09
公开(公告)号
:
JP2025032258A
公开(公告)日
:
2025-03-11
发明(设计)人
:
TSURU TAIRA
申请人
:
TOKYO SEIMITSU CO LTD
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/304
IPC分类号
:
B23K26/354
B24B1/00
B24B7/04
B24B9/00
C30B33/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体チップが形成されたウェーハの加工方法及びそれに用いる加工装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7604275B2
,2024-12-23
[2]
ウェーハのテラス加工方法及びそれに用いる加工装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7685345B2
,2025-05-29
[3]
ウェーハの面取り加工方法及びそれに用いられる面取り加工装置[ja]
[P].
TSURU TAIRA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKYO SEIMITSU CO LTD
TOKYO SEIMITSU CO LTD
TSURU TAIRA
.
日本专利
:JP2024104950A
,2024-08-06
[4]
ウェーハ加工方法及びウェーハ加工装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6103739B2
,2017-03-29
[5]
半導体加工装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6039304B2
,2016-12-07
[6]
化合物半導体ウェハの加工方法及び加工装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011083667A1
,2013-05-13
[7]
加工装置及びそれを用いた加工方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6927779B2
,2021-09-01
[8]
加工装置及びそれを用いた加工方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6943691B2
,2021-10-06
[9]
加工装置及びそれを用いた加工方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6861093B2
,2021-04-21
[10]
加工装置及びそれを用いた加工方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6810655B2
,2021-01-06
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