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微量金属を除去するための膜及び方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240544949
申请日
:
2023-01-30
公开(公告)号
:
JP2025505426A
公开(公告)日
:
2025-02-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
B01D61/14
IPC分类号
:
B01D71/36
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 15 条
[1]
導電性ダイヤモンド電極で微量金属を検出するための装置および方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6861255B2
,2021-04-21
[2]
導電性ダイヤモンド電極で微量金属を検出するための装置および方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2018529981A
,2018-10-11
[3]
導電性ダイヤモンド電極で微量金属を検出するための装置および方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6827047B2
,2021-02-10
[4]
微量金属分析用容器、その製造方法、微量金属分析の前処理方法、及び微量金属の分析方法[ja]
[P].
SAEKI KOICHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKUYAMA CORP
TOKUYAMA CORP
SAEKI KOICHI
;
NAITO MAYU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKUYAMA CORP
TOKUYAMA CORP
NAITO MAYU
;
WATANABE SHINYA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKUYAMA CORP
TOKUYAMA CORP
WATANABE SHINYA
;
MIKAMI YUKARI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKUYAMA CORP
TOKUYAMA CORP
MIKAMI YUKARI
.
日本专利
:JP2024039896A
,2024-03-25
[5]
微量金属の測定方法及び測定装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5830299B2
,2015-12-09
[6]
微量金属分析のための半導体ウェハの気相エッチングのための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6754842B2
,2020-09-16
[7]
微量金属分析のための半導体ウェハの気相エッチングのための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019511839A
,2019-04-25
[8]
高純度アルミニウム材料を生成するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024525304A
,2024-07-12
[9]
シリコン中の微量金属の定量方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023506121A
,2023-02-15
[10]
シリコン中の微量金属の定量方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7441942B2
,2024-03-01
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