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存储装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411254926.3
申请日
:
2024-09-09
公开(公告)号
:
CN119673240A
公开(公告)日
:
2025-03-21
发明(设计)人
:
稲场恒夫
宫崎隆行
宫野信治
申请人
:
铠侠股份有限公司
申请人地址
:
日本东京
IPC主分类号
:
G11C11/402
IPC分类号
:
G11C11/4097
G11C11/408
G11C11/4091
代理机构
:
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
:
杨林勳
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-08
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/402申请日:20240909
2025-03-21
公开
公开
共 50 条
[1]
存储装置
[P].
大贯达也
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
大贯达也
;
国武宽司
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
国武宽司
;
山崎舜平
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
.
日本专利
:CN118679863A
,2024-09-20
[2]
存储装置
[P].
长塚修平
论文数:
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0
长塚修平
;
大贯达也
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0
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大贯达也
;
加藤清
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0
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加藤清
;
山崎舜平
论文数:
0
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0
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0
山崎舜平
.
中国专利
:CN113330554A
,2021-08-31
[3]
存储装置
[P].
国武宽司
论文数:
0
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0
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
国武宽司
;
松崎隆德
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
松崎隆德
;
山崎舜平
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
.
日本专利
:CN119769186A
,2025-04-04
[4]
存储装置
[P].
大下智
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大下智
;
国武宽司
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国武宽司
;
津田一树
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津田一树
.
中国专利
:CN114503202A
,2022-05-13
[5]
存储装置
[P].
长塚修平
论文数:
0
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
长塚修平
;
大贯达也
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0
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
大贯达也
;
加藤清
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
加藤清
;
山崎舜平
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
.
日本专利
:CN113330554B
,2025-06-06
[6]
存储装置以及存储装置的制造方法
[P].
山崎舜平
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
;
松崎隆德
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
松崎隆德
;
国武宽司
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
国武宽司
;
井坂史人
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
井坂史人
.
日本专利
:CN119769187A
,2025-04-04
[7]
半导体存储装置
[P].
侧濑聪文
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0
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机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
侧濑聪文
;
三鬼悠辅
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机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
三鬼悠辅
;
原田朋纪
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机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
原田朋纪
;
上远野一广
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机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
上远野一广
;
渡边大辅
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机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
渡边大辅
;
武藤祐辅
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机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
武藤祐辅
;
鹈饲修作
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机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
鹈饲修作
.
日本专利
:CN120692846A
,2025-09-23
[8]
半导体存储装置
[P].
和田政春
论文数:
0
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0
和田政春
.
中国专利
:CN115132248A
,2022-09-30
[9]
存储单元及存储装置
[P].
长塚修平
论文数:
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长塚修平
;
大贯达也
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大贯达也
;
山崎舜平
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0
山崎舜平
.
中国专利
:CN114258586A
,2022-03-29
[10]
存储装置
[P].
山崎舜平
论文数:
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
;
大贯达也
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
大贯达也
;
加藤清
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
加藤清
;
国武宽司
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
国武宽司
;
方堂凉太
论文数:
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0
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0
机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
方堂凉太
.
日本专利
:CN118633362A
,2024-09-10
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