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SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311246785.6
申请日：
2023-09-25
公开(公告)号：
CN119698230A
公开(公告)日：
2025-03-25
发明(设计)人：
曹鑫
王梦溪
李州
刘士琦
申请人：
中电海康集团有限公司
申请人地址：
311100 浙江省杭州市余杭区爱橙街198号
IPC主分类号：
H10N50/20
IPC分类号：
H10B61/00
代理机构：
北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667
代理人：
孙峰芳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
浙江省
杭州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 50/20申请日:20230925 |
| 2025-03-25 | 公开 | 公开 |