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激励熔断器辅助灭弧结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911027232.5
申请日：
2019-10-27
公开(公告)号：
CN110571113B
公开(公告)日：
2025-03-18
发明(设计)人：
段少波 戈西斌 石晓光
申请人：
西安中熔电气股份有限公司
申请人地址：
710077 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园A区12号现代企业中心东区3-10303室
IPC主分类号：
H01H85/38
IPC分类号：
代理机构：
西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259
代理人：
胡思棉
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 授权 授权
共 50 条
[1]
激励熔断器辅助灭弧结构 [P]. 
段少波 ;
戈西斌 ;
石晓光 .
中国专利 :CN210403648U ,2020-04-24
[2]
激励熔断器辅助灭弧结构 [P]. 
段少波 ;
戈西斌 ;
石晓光 .
中国专利 :CN110571113A ,2019-12-13
[3]
一种集成灭弧熔体的激励熔断器 [P]. 
段少波 ;
戈西斌 ;
石晓光 ;
王伟 ;
王宁 .
中国专利 :CN110854000A ,2020-02-28
[4]
一种集成灭弧熔体的激励熔断器 [P]. 
段少波 ;
戈西斌 ;
石晓光 ;
王伟 ;
王宁 .
中国专利 :CN212257338U ,2020-12-29
[5]
熔断器的灭弧结构 [P]. 
吴智刚 ;
王伟 ;
胡伟源 ;
沈伟伟 ;
沈圣炜 ;
朱旭东 ;
陈燕萍 .
中国专利 :CN203351543U ,2013-12-18
[6]
一种激励熔断器灭弧结构 [P]. 
陈蓉蓉 ;
张瑞遥 ;
王伟 ;
石晓光 .
中国专利 :CN121148964A ,2025-12-16
[7]
一种激励熔断器灭弧结构 [P]. 
陈蓉蓉 ;
张瑞遥 ;
王伟 ;
石晓光 .
中国专利 :CN222838781U ,2025-05-06
[8]
灭弧腔室及激励熔断器 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120341096A ,2025-07-18
[9]
一种电磁灭弧熔断器 [P]. 
赵希华 ;
袁明 ;
高建飞 .
中国专利 :CN205319116U ,2016-06-15
[10]
快速灭弧激励熔断器、电子电路及电子设备 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119542090A ,2025-02-28
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