半导体装置以及电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380055078.0

申请日：

2023-07-20

公开(公告)号：

CN119586340A

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

山崎舜平木村肇小林英智松崎隆德冈本佑树井上广树

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

G11C5/04 G11C11/405 H10D30/01 H10D84/03 H10D84/80 H10D84/83 H10D30/67 H10D30/68 H10D30/69 H10B10/10 H10B41/70 H10B63/00 H10B63/10 H10B99/00 H10N70/00 H10N99/00

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

俞丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体装置、半导体晶片以及电子设备 [P].

佐藤绘莉 ;

大贯达也 ;

八洼裕人 ;

国武宽司 .

中国专利 :CN112888952A ,2021-06-01

[2]

比较电路、半导体装置、电子构件以及电子设备 [P].

松嵜隆德 ;

加藤清 .

日本专利 :CN110637415B ,2024-10-01

[3]

比较电路、半导体装置、电子构件以及电子设备 [P].

松嵜隆德 ;

加藤清 .

日本专利 :CN119135131A ,2024-12-13

[4]

比较电路、半导体装置、电子构件以及电子设备 [P].

松嵜隆德 ;

加藤清 .

中国专利 :CN110637415A ,2019-12-31

[5]

电力转换电路、半导体装置以及电子设备 [P].

矢岛赳彬 .

中国专利 :CN115668731A ,2023-01-31

[6]

半导体装置以及电子设备 [P].

福冈修 ;

早川昌彦 ;

肉户英明 .

中国专利 :CN101615620B ,2009-12-30

[7]

半导体装置以及电子设备 [P].

渡部刚 .

日本专利 :CN118575588A ,2024-08-30

[8]

半导体装置以及电子设备 [P].

谷口清美 ;

植田顺 ;

小野敦 .

中国专利 :CN103946978B ,2014-07-23

[9]

半导体装置以及电子设备 [P].

乡户宏充 ;

国武宽司 ;

津田一树 .

中国专利 :CN114787986A ,2022-07-22

[10]

半导体装置以及电子设备 [P].

赤井亮仁 ;

黑岩刚史 ;

石井达也 .

中国专利 :CN103853406B ,2014-06-11

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230720
2025-03-07	公开	公开