用于磁阻磁场传感器的相邻层结构的布置、磁阻磁场传感器及其生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080012220.X

申请日：

2020-01-31

公开(公告)号：

CN113383243B

公开(公告)日：

2025-03-21

发明(设计)人：

尤尔根·瓦尔森约翰尼斯·保罗

申请人：

森斯泰克有限公司

申请人地址：

德国韦茨拉尔

IPC主分类号：

G01R33/00

IPC分类号：

G01R33/09

代理机构：

北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444

代理人：

刘晔;葛强

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-21	授权	授权

共 50 条

[1]

用于磁阻磁场传感器的相邻层结构的布置、磁阻磁场传感器及其生产方法 [P].

尤尔根·瓦尔森 ;

约翰尼斯·保罗 .

中国专利 :CN113383243A ,2021-09-10

[2]

巨磁阻抗磁场传感器 [P].

张涛 ;

韩冰 ;

李明 ;

任欢 ;

汤新岩 .

中国专利 :CN2906638Y ,2007-05-30

[3]

巨磁阻抗磁场传感器 [P].

张涛 ;

韩冰 ;

李明 ;

任欢 ;

汤新岩 .

中国专利 :CN100403050C ,2006-06-28

[4]

磁阻膜层结构以及使用此磁阻膜层结构的磁场传感器 [P].

黄鑫泓 ;

翁焕翔 ;

赖志煌 ;

黄国峰 .

中国专利 :CN104103753B ,2014-10-15

[5]

磁场传感器和用于制造磁场传感器的方法 [P].

F·沙茨 ;

T·富克斯 ;

A·法伊 .

中国专利 :CN102483445B ,2012-05-30

[6]

磁场传感器和制造磁场传感器的方法 [P].

郑萍 ;

卓荣发 ;

孙永顺 .

中国专利 :CN114563740A ,2022-05-31

[7]

对面外的磁场敏感的磁阻传感器 [P].

阿尔瓦罗·帕洛米诺 ;

伯纳德·迪埃尼 ;

里卡多·索萨 ;

伊奥恩-路西安·普雷杰贝阿努 .

法国专利 :CN119365785A ,2025-01-24

[8]

磁场传感器及用于操作所述磁场传感器的方法 [P].

拉迪沃耶·泼泼维奇 ;

克里斯蒂安·肖特 .

中国专利 :CN100480723C ,2005-09-28

[9]

磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器 [P].

田金鹏 ;

张文伟 ;

杨光帅 ;

王宝杰 ;

吕志坚 ;

贾原 ;

宋秋明 ;

张智星 ;

欧阳夏 .

中国专利 :CN115425142B ,2025-07-15

[10]

磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器 [P].

田金鹏 ;

张文伟 ;

杨光帅 ;

王宝杰 ;

吕志坚 ;

贾原 ;

宋秋明 ;

张智星 ;

欧阳夏 .

中国专利 :CN115425142A ,2022-12-02

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