一种晶界扩散工艺用真空反应系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010792736.2

申请日：

2020-08-10

公开(公告)号：

CN111928638B

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

张永军

申请人：

北京北方华创磁电科技有限公司

申请人地址：

101200 北京市平谷区马坊工业园区西区247号

IPC主分类号：

F27B5/05

IPC分类号：

F27B5/14 F27B5/16 F27D1/12 F27D1/18 H01F41/02

代理机构：

北京维正专利代理有限公司 11508

代理人：

赵万凯

法律状态：

授权

国省代码：

黑龙江省哈尔滨市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种晶界扩散工艺用真空反应系统 [P].

张永军 .

中国专利 :CN111928638A ,2020-11-13

[2]

一种晶界扩散工艺用真空反应系统 [P].

张永军 .

中国专利 :CN212482067U ,2021-02-05

[3]

一种扩散源及晶界扩散工艺 [P].

汤进 ;

邢雨晴 ;

童华承 ;

廖文晨 ;

李仕林 .

中国专利 :CN119296949A ,2025-01-10

[4]

一种钕铁硼磁体的晶界扩散工艺 [P].

翟厚勤 ;

孙红军 ;

周军 ;

宋伟 ;

徐鹏 ;

潘玉龙 ;

聂凯 ;

张欢 .

中国专利 :CN117410091A ,2024-01-16

[5]

一种钕铁硼磁体的晶界扩散工艺 [P].

翟厚勤 ;

孙红军 ;

周军 ;

宋伟 ;

徐鹏 ;

潘玉龙 ;

聂凯 ;

张欢 .

中国专利 :CN117410091B ,2025-10-17

[6]

一种用于钕铁硼磁体的晶界扩散工艺 [P].

韩幸奇 .

中国专利 :CN118762919A ,2024-10-11

[7]

一种使用滚动喷涂方式的晶界扩散工艺 [P].

韩水生 ;

李冉冉 ;

米英杰 ;

罗淇文 ;

谢崛非 .

中国专利 :CN120108912A ,2025-06-06

[8]

一种使用浸泡滚动方式的晶界扩散工艺 [P].

谢崛非 ;

李冉冉 ;

罗淇文 ;

韩水生 .

中国专利 :CN119943564A ,2025-05-06

[9]

一种高性能钕铁硼磁体的晶界扩散工艺 [P].

黄亮亮 ;

黄仁珠 ;

游廷明 .

中国专利 :CN119964972A ,2025-05-09

[10]

一种应用于钕铁硼重稀土晶界扩散工艺的真空炉 [P].

张永军 .

中国专利 :CN111952069B ,2025-02-11

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