导电性膜及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280009193.X

申请日：

2022-01-04

公开(公告)号：

CN116745864B

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

阿部匡矩部田武志岛崎淑子坂本宙树

申请人：

株式会社村田制作所

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01B1/00

IPC分类号：

H01B13/00 H01B5/00 H01B1/20 H01B1/06

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

韩聪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	授权	授权

共 50 条

[1]

导电性膜及其制造方法 [P].

阿部匡矩 ;

部田武志 .

日本专利 :CN115997265B ,2025-12-30

[2]

导电性膜、电极以及导电性膜的制造方法 [P].

杉浦宏介 ;

部田武志 .

日本专利 :CN118369738A ,2024-07-19

[3]

导电性膜、粒子状物质、浆料和导电性膜的制造方法 [P].

早田义人 .

日本专利 :CN116134978B ,2025-10-21

[4]

导电性二维粒子及其制造方法、导电性膜、导电性糊剂、以及导电性复合材料 [P].

坂本宙树 .

日本专利 :CN119110976A ,2024-12-10

[5]

二维颗粒、导电性膜及其制造方法 [P].

小河佑介 ;

中村崇圣 ;

川崎圣治 .

日本专利 :CN120916977A ,2025-11-07

[6]

导电性材料、导电性薄膜、电化学电容器、导电性材料的制造方法及导电性薄膜的制造方法 [P].

小河佑介 ;

小柳雅史 ;

木口雄太 .

中国专利 :CN114026663A ,2022-02-08

[7]

导电性二维粒子及其制造方法 [P].

小柳雅史 .

日本专利 :CN118043914A ,2024-05-14

[8]

二维粒子、导电性膜、导电性膏和二维粒子的制造方法 [P].

小柳雅史 ;

中西善信 ;

小河佑介 .

日本专利 :CN117980264A ,2024-05-03

[9]

含导电性二维粒子的组合物、导电性膜、和含导电性二维粒子的组合物的制造方法 [P].

小柳雅史 .

日本专利 :CN117981013A ,2024-05-03

[10]

导电性复合结构体及其制造方法 [P].

阿部匡矩 .

中国专利 :CN114901470A ,2022-08-12

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