声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310347414.0

申请日：

2023-04-03

公开(公告)号：

CN116561906B

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名

申请人：

上海馨欧集成微电有限公司

申请人地址：

201899 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号6幢101室J

IPC主分类号：

G06F30/17

IPC分类号：

G06F30/23 G06T17/20

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

苗芬芬

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	授权	授权

共 50 条

[1]

声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

欧欣 ;

姚虎林 ;

张师斌 .

中国专利 :CN119294244A ,2025-01-10

[2]

一种声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

欧欣 ;

姚虎林 ;

张师斌 ;

隋东辰 .

中国专利 :CN116401995B ,2024-04-12

[3]

一种声表面波器件的仿真方法、装置及存储介质 [P].

欧欣 ;

姚虎林 ;

张师斌 .

中国专利 :CN119514452A ,2025-02-25

[4]

声表面波器件、射频前端模组及电子设备 [P].

李飞龙 ;

杜波 ;

倪建兴 .

中国专利 :CN120357867A ,2025-07-22

[5]

声表面波器件、射频前端模组和电子设备 [P].

李阳 ;

杜波 ;

刘旻俊 ;

王华磊 ;

倪建兴 .

中国专利 :CN119582799A ,2025-03-07

[6]

声表面波器件、射频前端模组和电子设备 [P].

李阳 ;

杜波 ;

刘旻俊 ;

王华磊 ;

倪建兴 .

中国专利 :CN119582799B ,2025-12-02

[7]

声表面波器件、电子设备及传感器装置 [P].

小幡直久 ;

山中国人 .

中国专利 :CN102403980A ,2012-04-04

[8]

声表面波器件、电子设备及传感器装置 [P].

山中国人 .

中国专利 :CN102403975B ,2012-04-04

[9]

声表面波器件、射频前端模组及电子设备 [P].

刘旻俊 ;

李阳 ;

杜波 ;

王华磊 ;

倪建兴 .

中国专利 :CN119420315A ,2025-02-11

[10]

声表面波器件、电子设备及传感器装置 [P].

小幡直久 .

中国专利 :CN102403979A ,2012-04-04

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