基于多层磁电效应感应忆阻器的存储器阵列集成电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411349926.1

申请日：

2024-09-26

公开(公告)号：

CN119698235A

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

张怀武唐鑫路鹏飞邹奥

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611730 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00 H10N50/10 H10B63/00 H10B61/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

集成电路、存储器和存储器阵列 [P].

张峰铭 ;

包家豪 ;

洪连嵘 ;

王屏薇 .

中国专利 :CN111508962A ,2020-08-07

[2]

集成电路、存储器阵列及用于形成集成电路和存储器阵列的方法 [P].

C·蒂瓦里 ;

J·K·琼斯拉曼 .

中国专利 :CN113555368A ,2021-10-26

[3]

集成电路、存储器阵列及用于形成集成电路和存储器阵列的方法 [P].

C·蒂瓦里 ;

J·K·琼斯拉曼 .

美国专利 :CN113555368B ,2024-04-16

[4]

集成电路结构及存储器阵列 [P].

任兴华 ;

林瑄智 .

中国专利 :CN101996998A ,2011-03-30

[5]

存储器单元、集成电路结构及存储器阵列 [P].

王屏薇 ;

张峰铭 ;

陈瑞麟 .

中国专利 :CN118284030A ,2024-07-02

[6]

集成电路器件及其存储器阵列 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN109390405A ,2019-02-26

[7]

集成电路及用于集成电路存储器阵列中的方法 [P].

卢卡·G·法索利 ;

罗伊·E·朔伊尔莱因 .

中国专利 :CN101164118B ,2008-04-16

[8]

一种存储器集成电路以及存储器阵列 [P].

P·麦克威廉姆斯 ;

J·阿基雅玛 ;

D·加贝尔 .

中国专利 :CN102637451B ,2012-08-15

[9]

存储器阵列、集成电路及其制造方法 [P].

云惟胜 .

中国专利 :CN115513249A ,2022-12-23

[10]

忆阻器单元及存储器阵列的操作方法、装置 [P].

黄鹏 ;

冯玉林 ;

刘力锋 ;

刘晓彦 ;

康晋锋 .

中国专利 :CN113971979A ,2022-01-25

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