以红光为主且红光发射大幅提高的四层核壳结构上转换发光材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411828305.1
申请日
2024-12-12
公开(公告)号
CN119685018A
公开(公告)日
2025-03-25
发明(设计)人
潘再法 盛宇杰 胡恬雨 余杰
申请人
浙江工业大学
申请人地址
310014 浙江省杭州市拱墅区潮王路18号
IPC主分类号
C09K11/85
IPC分类号
C09K11/02 B82Y30/00 B82Y40/00
代理机构
杭州天正专利事务所有限公司 33201
代理人
朱思兰
法律状态
实质审查的生效
国省代码
浙江省 杭州市
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共 50 条
[1]
四层核壳结构双频上转换发光材料及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118562492A ,2024-08-30
[2]
具有惰性核壳结构的上转换发光材料及其制备方法 [P]. 
王丹 ;
宋军 ;
屈军乐 .
中国专利 :CN108165258A ,2018-06-15
[3]
发光核-惰性壳两层结构的双频上转换发光材料及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118562494A ,2024-08-30
[4]
上转换发光材料及其制备方法 [P]. 
韩东成 ;
张亮亮 ;
范超 ;
韦永生 .
中国专利 :CN115305080A ,2022-11-08
[5]
上转换发光材料及其制备方法 [P]. 
韩东成 ;
张亮亮 ;
范超 ;
韦永生 .
中国专利 :CN115340860A ,2022-11-15
[6]
制备核壳结构的ZnO基上转换发光材料的方法 [P]. 
吴锋民 ;
李京波 ;
孟秀清 .
中国专利 :CN102071013B ,2011-05-25
[7]
上转换发光材料及其制备方法 [P]. 
张亮亮 ;
王海倩 ;
韩东成 .
中国专利 :CN116904196B ,2024-07-05
[8]
上转换发光材料及其制备方法 [P]. 
韩东成 ;
张亮亮 ;
范超 ;
韦永生 .
中国专利 :CN115305080B ,2024-09-13
[9]
上转换发光材料及其制备方法 [P]. 
韩东成 ;
张亮亮 ;
范超 ;
韦永生 .
中国专利 :CN115340860B ,2024-07-05
[10]
一种核‑壳结构的上转换发光材料及其制备方法 [P]. 
刘晓瑭 ;
叶炜浩 ;
黄绮颖 ;
焦献甫 ;
雷炳富 ;
刘应亮 .
中国专利 :CN107418553A ,2017-12-01